台积电前副总裁：大陆的芯片企业正在被逼出一个奇迹，赶超台积电和欧美企业，只剩时间问题了

近年来，全球半导体产业正经历百年未有之大变局。在美国对中国大陆芯片产业实施一系列出口管制后，中国芯片公司不但没有止步不前，反而在“逆风中前行”，引发全球产业格局的深刻调整。台积电前研发副总裁林本坚在多次采访中指出，大陆芯片企业正在被逼出一个“奇迹”，有望重新定义半导体发展路径，并有潜力在某些技术领域赶超传统欧美与台湾芯片巨头。

PART.01

全球芯片产业格局

自2019年起，美国政府开始针对中国半导体产业实施多轮出口限制，尤其禁止向中国出售极紫外光刻机（EUV）及相关关键设备。EUV是制造先进节点芯片（如5nm、3nm）不可或缺的核心工艺装备，目前全球仅荷兰ASML一家公司能够生产。受出口管制影响，中国大陆企业难以获取这类顶尖设备，这也使得中国芯片产业被外界普遍认为在先进制程上会面临长期落后局面。

与此同时，美国与盟友进一步限制EDA（电子设计自动化）软件、光刻材料以及先进封装设备的出口，几乎切断了大陆企业通往全球最尖端芯片制造链的路径。上述种种封锁措施在国际产业分析中被认为将使中国芯片技术与世界领先水平拉开巨大差距。

然而，与这一判断形成鲜明对照的是，大陆企业并未因制裁而放弃追赶，反而加快了自主创新和替代性技术路线的探索。

PART.02

被逼出来的中国路线

台积电前副总裁林本坚在接受媒体采访时强调：中国公司不必简单重复台积电、三星那样依赖EUV推进先进制程，而是可能通过“新方法实现老目标”，甚至开辟出一条不同于传统工艺逻辑的发展路线。

从已公开的技术进展来看，这种“另类路线”确有事实依据：

1. 多重曝光与自对准多重图案化技术

由于无法获得EUV设备，中国大陆芯片制造主要依赖深紫外光刻（DUV）设备，同时配合多重曝光（Multipatterning）、自对准多重图案化（SAQP、SAOP等）等复杂工艺来压缩线宽，实现7nm甚至“5nm级”芯片特征尺寸。

这种方法的好处在于可以利用现有设备突破原先认为无法逾越的工艺门槛；不足之处则是制造流程步骤多、成本高、良品率低，比使用EUV更为复杂。业内普遍认为这一技术路线不可能长期替代EUV，但作为临时替代路径，其技术价值不容忽视。

2. 华为与SMIC等企业的节点突破

2023年，SMIC（中芯国际）利用多重曝光技术成功生产出7nm级工艺芯片，并用于华为麒麟系列手机，这是中国大陆在受限环境下实现的首次突破，引发全球关注。

进入2025年，有多家报告指出中国企业正推进更复杂节点工艺的试产，例如声称向5nm级接近，尽管良品率仍较低，但在缺乏EUV的条件下取得这一进展本身已极具意义。

PART.03

挑战与机遇

虽然中国大陆芯片企业在技术路线创新方面展现出极大动力，但与台积电、三星、英特尔等全球顶尖制造商相比，仍有现实差距：

1. yield（良品率）与成本

按照业内观察，中国大陆7nm工艺的良品率仍远低于世界先进水平，而且整体制造成本很高。这意味着在商业化规模和经济效益方面，还难以大规模替代传统先进节点。

2. 核心设备短板

除了EUV之外，EDA软件及某些关键加工工具长期受限，中国设备制造自主率仍然较低。国内企业如SMEE虽已推出较为先进的DUV设备，但与ASML级别的产品仍有明显差距。

3. 研发体系与人才积累

技术突破并非一朝一夕。尽管大陆投入巨大资金建立芯片研发体系，但在整体产业链协同、创新能力积累方面，与国际一流水平依旧有距离。

尽管面临技术与设备制约，中国大陆的芯片产业也展现出诸多值得关注的优点：

1. 政策与资本支持力度空前

国家集成电路产业投资基金（“大基金”）连续注资推动先进工艺、AI芯片、存储器等关键领域布局，有力支撑企业长期研发投入。

2. 自主生态逐步形成

除芯片制造外，中国在EDA工具、设计IP、封装测试等环节也在加快发展。例如本土EDA供应商开始推出可支持7nm设计的工具，国内包装与测试企业逐渐承接国际订单。

3. 多技术路线并存

一些业内观点认为，中国不必完全复制全球先进制程，而可以在异构集成、高级封装、创新架构、芯片片上系统（SoC）优化等方向找到差异化竞争优势，同时满足本地及国际市场需求。

PART.04

未来，创造奇迹

从产业发展的历史经验来看，每一次技术飞跃都源于激烈竞争与挑战。台积电前副总裁林本坚所言“中国大陆被逼出来一个奇迹”，既反映了中国企业在压力下寻求创新路径的潜力，也提醒全球半导体行业进入一个多极化竞争的新阶段。

中国大陆芯片产业在追赶先进技术的过程中，既要正视差距，也要善于发挥独特优势。无论最终技术排名如何，这一轮全球芯片竞赛本身就将推动整个行业朝更高效、更多元、更具韧性的方向发展。

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