北京
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体元件的制造方法”的专利，公开号CN121096956A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体元件的制造方法。所述方法包含：提供半导体结构，其中半导体结构包含包覆氮化物层以及氧化物层的数个氮化物部位、位于氮化物部位之间的接触层、设置于氮化物部位上的间隔物层以及位于间隔物层上的图案化硬遮罩层；形成填充材料于接触层上并覆盖氮化物部位、间隔物层以及图案化硬遮罩层；去除填充材料、接触层、氮化物层以及氧化物层的数个部位；共形地形成毯覆层于填充材料、接触层以及氮化物部位、氮化物层以及氧化物层的剩余部位上；过度填充导电层于毯覆层上；平坦化导电层；以及形成沟槽。本发明的半导体元件的制造方法提高了整个半导体元件的整体电性能。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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