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【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年进一步扩容升级，共设立三大类73项重磅大奖，覆盖投资、上市公司、市场、AI、具身智能、职场、知识产权、汽车、海外市场九大核心领域，全方位挖掘半导体产业各赛道的标杆力量。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】氮矽科技
【候选奖项】年度最具成长潜力奖
在第三代半导体技术引领能源革命与产业升级的浪潮中，氮化镓（GaN）作为关键核心材料，凭借其高效、节能的卓越特性，正成为新能源汽车、数据中心、绿色能源等国家战略性产业竞相发展的技术高地。然而，该领域长期面临国际厂商的技术与市场垄断。在此背景下，一批具备核心自主研发能力的本土企业正强势崛起，致力于打造安全可靠的全国产化供应链。氮矽科技正是这一赛道上备受瞩目的破局者与创新先锋。
氮矽科技成立于2019年4月，由海归精英团队携手电子科技大学顶尖教授及业内资深专家共同创立。其总部位于南京，并与ICiSC平台合作共建国家级集成电路可靠性测试平台，致力于打造高性能、高可靠性的全国产氮化镓产品线，为新能源及国家先进基础产业提供领先解决方案。同时，氮矽科技以成都和深圳的研发与营销中心为支撑，构建了覆盖前沿技术研发、严格产品测试及全方位市场服务的完整产业布局，影响力正加速辐射全国。
自创立以来，氮矽科技始终将科研创新作为立身之本，专注耕耘于氮化镓产品的自主研发与市场开拓，致力于打破国际厂商的长期垄断格局。通过持续的技术攻坚，该公司已成功构建起覆盖核心器件与先进封装的全方位产品矩阵，先后推出“E-mode GaN HEMT（增强型氮化镓高电子迁移率晶体管）、GaN Driver（氮化镓驱动芯片）、GaN PIIP®（功率集成封装）和PWM GaN（脉宽调制氮化镓产品）”四大产品线。这些产品已广泛应用于消费电子、数据中心、锂电池管理以及新能源汽车等多个关键领域，展现出强大的市场适应性与技术竞争力，持续引领氮化镓技术的革命性突破，助力共创绿色高效未来。
凭借在细分领域的快速突破与显著成长性，氮矽科技竞逐“IC风云榜”年度最具成长潜力奖，并成为候选企业。该奖项旨在表彰在半导体某一细分领域中实现技术产品突破、即将进入高速发展期并获得知名机构投资，或已形成较强竞争优势且发展迅猛的行业新兴力量。
【奖项申报入口】
2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2025年12月在上海举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度最具成长潜力奖】
“年度最具成长潜力奖”面向在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资的企业；和已形成较强的细分领域竞争优势，发展速度较快的企业。奖项旨在表彰这些具有成长潜力的行业新兴企业，助力投资人和项目方更好地洞悉市场环境和行业趋势，推进企业跨越式发展。
【报名条件】
1、在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资；或已形成较强的细分领域竞争优势，发展迅速的企业；
2、2024年主营业务收入为500万——1亿元的创业企业。
【评选标准】
1、评委会由“半导体投资联盟”超100家会员单位及数百位半导体行业CEO共同组成；
2、每位评委限投5票，最终按企业得票数量评选出“年度最具成长潜力奖”。
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