北京
国家知识产权局信息显示，华夏磁电子技术开发（深圳）有限公司取得一项名为“一种可提高精度的磁阻旋变定子齿侧间隙槽楔装置”的专利，授权公告号CN 223625655 U，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种可提高精度的磁阻旋变定子齿侧间隙槽楔装置，包括：定子齿，相邻的定子齿之间存在齿侧间隙；极靴，设置于定子齿的端部，相邻两个极靴间隔分布呈现不连续的第一弧面，极靴两端对称设置有安装槽，相邻的两个极靴在齿侧间隙两侧的安装槽关于齿侧间隙对称设置；槽楔，遮挡两个相邻定子齿之间的齿侧间隙使两个相邻的极靴由不连续的第一弧面相连变成连续的第一弧面。通过在极靴的两端设置安装槽和槽楔，将槽楔安装在安装槽中使磁阻旋变定子内孔组合成一个整圆，使磁阻旋变定子内孔与转子外圆的电磁气隙保持连续，降低因磁阻旋变定子齿侧间隙不连续带来的正弦/余弦输出电压的高次谐波，提高了磁阻旋变输出信号的精度。
天眼查资料显示，华夏磁电子技术开发（深圳）有限公司，成立于2000年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3030万人民币。通过天眼查大数据分析，华夏磁电子技术开发（深圳）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息53条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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