北京
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国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“形成开口的方法”的专利，公开号CN121076008A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明公开一种形成开口的方法。形成开口的方法包括以下步骤：提供基底，基底上已形成有接垫；在基底上依序形成第一缓冲层与第一钝化层；对第一缓冲层与第一钝化层进行蚀刻制作工艺，以形成第一开口并暴露出部分接垫；将填充材料沉积在第一钝化层上及第一开口中，以形成第二缓冲层；对第二缓冲层进行平坦化制作工艺；在第二缓冲层上形成第二钝化层；以及对第二缓冲层与第二钝化层进行开口制作工艺，以形成第二开口并暴露出部分接垫。第一开口暴露出的部分接垫的位置与第二开口暴露出的部分接垫的位置相同。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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