北京
国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种绝缘体上硅衬底及其制备方法”的专利，公开号CN121078798A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供一种绝缘体上硅衬底及其制备方法，包括：提供第一衬底和第二衬底；第一衬底和第二衬底中的至少一个衬底的表面形成绝缘层和位于绝缘层中的至少一个导热结构，每个导热结构包括至少一层第一绝缘导热层和至少一层第二绝缘导热层，其中，第一绝缘导热层的热导率大于绝缘层的热导率，第二绝缘导热层的热导率大于绝缘层的热导率；将第一衬底和第二衬底进行键合，绝缘层和导热结构位于键合后的第一衬底和第二衬底之间；对第二衬底进行剥离以去除部分第二衬底，剩余的第二衬底作为顶层半导体层，第一衬底作为绝缘体上硅衬底的基底层。本申请在绝缘层中嵌入导热结构，将顶层半导体层的热量传导至基底层，提高绝缘体上硅衬底的散热性能。
天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本704664.1万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1721次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息761条，此外企业还拥有行政许可43个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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