北京
分享至
国家知识产权局信息显示，硅存储技术股份有限公司申请一项名为“由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡”的专利，公开号CN 121054071 A，申请日期为2020年2月。专利摘要显示，本发明题为“由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡”。本发明涉及用于在模拟EEPROM的闪存装置中实现损耗均衡的系统和方法。实施方案利用索引阵列，该索引阵列存储仿真EEPROM中的每个逻辑地址的索引字。每个索引字中的每一位都与仿真EEPROM中的物理字的物理地址相关联，并且索引字跟踪哪个物理字是特定逻辑地址的当前字。使用索引字可实现损耗均衡算法，该算法允许对逻辑地址的编程命令，这导致：(i)如果存储在当前字中的数据不包含与要存储的数据中的“0”相对应的“1”，则跳过编程操作，(ii)在某些情况下对当前字的一个或多个位进行重编程，或者(iii)在某些情况下转移到下一个物理字并对其进行编程。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
