CFM：Flash Wafer价格全面上调，1Tb TLC涨至13美元

【热点速读】

1、CFM：Flash Wafer价格全面上调，1Tb TLC涨至13美元

2、传闪迪拟与力积电合作，外包产能应对存储涨价

3、消息称三星电子明年年底前将1c DRAM月产能提升至20万片晶圆

4、威刚：明年DDR5涨幅可能优于DDR4

5、宏碁：PC后市不会明显下滑，存储涨价非长期问题

1、CFM：Flash Wafer价格全面上调，1Tb TLC涨至13美元

据CFM闪存市场最新报价，今日开盘，Flash Wafer价格全面上涨，最高涨幅38.46%。

具体来看，1Tb QLC 涨 25.00% 至 $12.50，1Tb TLC 涨 23.81% 至 $13.00，512Gb TLC 涨 38.46% 至 $9.00，256Gb TLC 涨 14.58% 至 $5.50。

2、传闪迪拟与力积电合作，外包产能应对存储涨价

据台媒报道，闪迪在存储芯片价格上涨的背景下，正积极寻求外包产能，并计划与力积电展开合作。

据悉，双方拟议的合作将利用力积电位于中国台湾苗栗县铜锣科学园区的新晶圆厂。闪迪将提供半导体设备，预计最快于 2026 年上半年正式启动生产。闪迪此前曾考虑在铠侠日本晶圆厂之外寻找新的 NAND 产能供应，并与美国密歇根州政府就一项 500 亿美元的投资计划进行接触，但最终放弃了在美建厂的计划。

3、消息称三星电子明年年底前将1c DRAM月产能提升至20万片晶圆

据韩媒报道，三星电子计划在明年年底前将其1c DRAM的产能提升至每月20万片晶圆。

具体而言，三星计划在今年年底（第四季度）达到每月6万片晶圆的产能，并在明年第二季度增加8万片晶圆，明年第四季度再增加6万片晶圆，最终达到每月20万片晶圆的总产能。

这一时间安排是基于设备安装的“前期准备”阶段，目标是在每个阶段都建立起能够进行大规模生产的系统。对1c DRAM产能的持续投资将持续到明年年底。

三星预计将通过对现有DRAM生产线的工艺升级以及对平泽4号工厂（P4）的新投资来实现20万片的产能。

三星电子于16日宣布了一项为期五年、投资额达450万亿韩元的计划，并强调了其保障产能的决心。

三星电子一位官员就1c DRAM投资表示：“我们正在评估各种措施以满足快速增长的需求，但目前无法确认具体计划。”

4、威刚：明年DDR5涨幅可能优于DDR4

威刚日前召开法说会，受惠于DRAM与NAND价格自8月底明显反转，第3季营收及获利均有突破性成长。展望第4季营运，将优先支持主要客户，预期出货量与营收可能较第3季略减，但毛利率将会有显著成长，第4季获利将写下全年高点。

威刚强调，明年仍维持高度乐观，供货充足、成本优势也能延续。

库存方面，威刚第3季季底水位约130亿元（新台币，下同），但随市场反转，自9月起快速拉高备货，预估第4季末库存将达150~180亿元，并以明年第1季达200~250亿元目标。库存周期将维持在三至四个月，其中DRAM占比较高；DDR5今年比重已过半，第3季更超过六成，是后续备货主轴。

关于合约价走势，威刚透露，第4季DRAM合约价季涨幅有三到五成，NAND涨幅虽低于DRAM，但环比也有双位数百分比涨幅；明年第1季两大产品涨势延续的机率高。尤其DDR5供需缺口持续扩大，明年的涨幅可能优于DDR4。威刚在DDR5营收占比也会重返六至七成。

对终端需求，威刚并未感受到系统厂因价格上涨而转为保守，目前客户仍呈现积极拉货状态。

5、宏碁：PC后市不会明显下滑，存储涨价非长期问题

宏碁董事长陈俊圣表示，尽管存储器价格大涨，但该司对于PC市场后市不看衰。他强调，存储涨价是短中期问题，不是长期问题；此外，宏碁至明年首季已取得存储供应支持，并备抵安全库存因应。

陈俊圣认为，PC市况处于相对平稳状态，不会快速增长、也不会明显走衰。