紫光国芯SeDRAM-P300芯片荣获“中国芯”年度重大创新突破产品奖

2025年11月13至14日，2025年“中国芯”集成电路产业促进大会暨第二十届“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在横琴天沐琴台会议中心盛大举办。在发布仪式上，紫光国芯“适配大模型应用的四层3D堆叠DRAM芯片（SeDRAM-P300）”产品凭借突出的技术创新能力，荣获本届“中国芯”年度重大创新突破产品奖。紫光国芯业务总经理左丰国代表公司领奖，这一荣誉充分证明了公司在三维堆叠DRAM技术领域持续领先的地位与核心竞争力。

SeDRAM-P300斩获年度重大创新突破产品奖

“中国芯”集成电路产业促进大会是国内集成电路领域最具影响力和权威性的行业会议之一，迄今已连续举办19届。此次“中国芯”活动的所有奖项中，“年度重大创新突破产品”奖规格最高，旨在授予本年度在技术创新、市场占有率、填补国内技术或市场空白，国际竞争力及产业贡献等方面均有重大突破的单款芯片产品。本届“中国芯”优秀产品共征集到来自303家芯片企业的410款芯片产品报名，产品基本覆盖整个集成电路领域。其中，“年度重大创新突破产品”奖仅有三款芯片入选，紫光国芯凭借其产品实力获此殊荣。

本次获奖的紫光国芯SeDRAM-P300产品是业内首款采用“四层DRAM堆叠”三维集成（WoW）技术并实现量产的产品方案，该产品通过创新的技术路径，助力芯片性能实现极致释放。

“年度重大创新突破产品奖”颁奖仪式

SeDRAM-P300芯片采用业界领先的四层晶圆堆叠（WoW）三维架构，前瞻性兼容8层堆叠。产品以标准化IP模式交付，具备卓越的易集成性，可兼容适配主流SoC设计流程。

“紫光国芯三维堆叠DRAM（SeDRAM®）技术历经超过十年的技术积累与多代产品迭代，始终保持在行业的领先地位。”紫光国芯业务总经理左丰国表示，“荣获此奖，是业界对我们过往技术成果的高度认可，更是对公司创新实力与产业影响力的充分肯定。公司将依托SeDRAM®技术优势，持续创新，不断强化其市场竞争力，为用户提供高性能存储解决方案。”

三维堆叠DRAM（SeDRAM®）技术

紫光国芯SeDRAM®技术已支持近40款芯片产品的研发与量产，凭借领先的技术实力和成熟的量产经验可持续为客户提供最优解决方案。

编辑/排版：品牌组
审核：SP

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