风向变了！三星、SK海力士、铠侠存储芯片“提价减产”

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（来源：半导体前沿）

11月12日消息，据外媒报道，三星、SK 海力士、铠侠、美光等全球八大 NAND 闪存制造商正协同缩减今年下半年的 NAND 闪存供应量。

分析人士指出，此类减产不可避免将造成产出损失 —— 厂商一方面通过控制供应引导价格上涨，另一方面正加速将生产线转向四层单元制程，以应对人工智能数据中心带动的强劲 QLC 需求增长。

与此同时，三星电子、SK 海力士和铠侠正推动提升去年全年处于成本价水平的 NAND 闪存价格。其中，三星目前正与海外大型客户讨论明年的供货量，并在内部考虑将价格上调 20% 至 30% 以上。

市场研究机构 Omdia 的年度 NAND 闪存产出数据显示：三星电子已将其今年 NAND 晶圆产量目标下调至约 472 万片，较去年（507 万片）减少约 7%；铠侠亦将产量由去年的 480 万片调整为今年的 469 万片。Omdia 预计，三星电子与铠侠的减产策略将持续至明年。

SK 海力士和美光也在保守地限制产出，以获取更高价格带来的收益。SK 海力士 NAND 产出同比下降约 10%，从去年的 201 万片降至今年约 180 万片；美光亦处于类似境况 —— 其位于新加坡的最大 NAND 生产基地 Fab 7 工厂，产能维持在略高于 30 万片的低位区间，持续采取审慎供应姿态。

研究机构指出，NAND 价格仅上一季度便上涨 15%，未来涨幅或达 40% 至 50% 以上。据 TrendForce 数据，主流 512Gb 三层单元（TLC）NAND 芯片晶圆现货价格较前周上涨 14.2%，至 5.51 美元。现货价格反映分销市场的即时交易行情，其上涨意味着产品获取难度加大。

TLC NAND 供应趋紧，亦反映出主要厂商正将资源聚焦于利润更高的 QLC 产品。TLC 与 QLC 指 NAND 闪存基本存储单元中可存储的比特数：TLC 每单元存储 3 比特，QLC 则可达 4 比特。在相同晶圆面积下，QLC 可提升约 30% 的存储容量，因而更适用于 AI 数据中心所需的大容量固态硬盘（SSD）。

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