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10月24日消息，据韩媒报道，三星电子、SK海力士等主要内存供应商，将在今年第四季度继续向客户调整报价。幅度上，包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30%！
有机构表示，本轮由 AI 推动的存储「超景气」周期可能持续 3–4 年；同时，HBM 产线的虹吸效应使得通用 DRAM 产能更趋紧（HBM 单位晶圆占用>标准 DRAM 约 3 倍），最终导致价格进一步上升。
报道还指出，12 层 HBM4 （第六代 HBM）明年正式交付的单价或约 500 美元，较同层级 HBM3e（约 300 美元）显著抬升利润空间。除训练外，推理与端侧 AI 也在同步抬升通用 DRAM 需求。
随着市场对供应短缺的担忧加剧，大型客户正在采取罕见的行动。据报道，部分美国的电子公司及数据中心运营商，正与三星和SK海力士洽谈长达2至3年的中长期供应合同。
市场普遍预计，这场由AI驱动的供应短缺将比以往任何一次繁荣周期都更长、更强。报道援引分析师观点指出，短缺状况可能持续三到四年。这一预测的背后，是价值数百万亿韩元的新增AI服务器投资、通用服务器的持续内存升级，以及端侧AI设备需求崛起等多重因素的叠加。
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