特大消息！日联开启X-ray开管射线源量产了

来源：日联科技

Open Microfocus X-Ray Source

半导体流片

和前道制备工艺的

质量检测有国产技术保障了！

*据IDC全球半导体行业报告，预计2025年全球半导体收入将达到8000亿美元，较2024年的6800亿美元同比增长17.6%。

为了追求更高性能、更低功耗和更小尺寸，先进封装已进入了3D堆叠封装时代。

芯片被像高楼一样堆叠起来，内部的连接点（如硅通孔TSV、微凸点μBump）完全被遮挡。

能够“透视”这些多层结构并进行无损检测的成熟技术——X射线。

关于开放式射线源

开放式X射线源（以下简称“开管射线源”）具有焦点尺寸小、放大倍率高、成像效果好的特点，主要应用于高精密工业检测。

纳米级开管射线源通过控制电子束，观察芯片内部深层缺陷，成为支撑半导体制造业继续向更小、更复杂、更集成方向发展的关键质控工具。

每一支成功的开管射线源，都代表了在材料科学、真空物理、电子光学、精密机械和自动控制等多个学科领域顶尖技术的融合与突破。

全球能独立研发和生产高性能纳米级开放式X射线源的公司屈指可数，日联科技攻克技术难点，成功研制出首款国产纳米级开管射线源。

焦点更小

功率更大

视野更广

超高分辨率 超级放大

随着电子半导体物理尺寸不断缩小，三维空间的检测需求也在持续渗透,混合键合（Hybrid Bonding）缺陷尺寸已进入纳米量级。

日联科技自2012年就成立了基础研发团队，十年如一日，通过上千次实验、工艺调整，完成极其精密的电子光学系统搭建。

通过全自主研发的高精度恒流电源为磁透镜和合轴线圈供电，有效控制电子束，成像效果好。

满足更小尺寸、更高密度样品的缺陷检测需求（如：分析晶圆凸起桥接、Wafer内部异物杂质，识别堆叠芯片间的冷焊、HIP、错位，检查元件对齐和焊料空洞等情况）。

超高穿透力 稳定输出

由于终端设备小型化、低功耗要求，传统功率难以穿透芯片多层堆叠结构（如硅衬底、金属层、介电层等）观测芯片内部深层缺陷。

高稳定电源:采用自主研发的高压电源与恒流电源，确保卓越的输出稳定性。

实时监测:管内集成高精度真空计，实现真空度的实时监测。

160kV电压轻松穿透高集成芯片表层异质材料，保障高压发生器稳定输出，完成内部深层缺陷检测。

三种模式可调 完美适配

日联科技基础研发团队为解决“高功率”与“小焦点”之间的矛盾，设计高功率、微焦点、纳焦点三种可调模式，让用户在“穿透力/亮度”与“极限分辨率”之间做出灵活权衡，满足从微小芯片纳米级缺陷到大型工业部件透视等各种灵活性检测需求。

通过将电子束尽可能地压缩至极限，提供最高的空间分辨率，满足晶圆、半导体封装、高端材料科学、精密器件检测与分析需求。

在分辨率和亮度之间取得最佳平衡，广泛应用于电子制造（PCBA, SMT）、陶瓷封装、轻金属铸件内部结构检测。

具备强大的穿透能力，可以看清厚密物体，常用于金属铸件、焊接件、新能源电池、低反差样品检测。

日联科技基础研发团队自主设计的精密真空系统，保障密封性达到极致。

同时，设备采用高功率金刚石基透射靶，散热更好，使用寿命更长。

更智能

更便利

全数字化控制让开管射线源

从一台需要资深工程师精心调教的

“精密仪器”，

变成了一个智能、可靠、易集成的

“先进核心部件”。

在全球制造业向智能化迈进的浪潮中，高效率、智能化成为现代工业检测和科研领域的迫切需求。

集成全数字化控制软件，简化操作流程，与整机装备进行安全互锁，保障操作安全。

网页端输入设备ip地址（可定制移动端查看），即可监测射线源工作情况，便于灯丝寿命管理。

支持多种客制化设计，靶材材质、厚度可自由定制，满足不同应用场景检测需求。

自主化

标准化

产业化

日联科技基础研发团队通过对基础理论、关键材料、复杂制备工艺等技术掌握，实现靶材镀膜、焊接技术等全流程工艺可控，完成了国内首款开放式射线源技术自主与创新突破。

目前，UNOS系列160kV开管射线源已经形成标准化生产流程，实现批量生产，奠定了日联科技在工业检测行业中的龙头地位，在技术路线选择和市场竞争中占据了更主动的战略地位。

开管射线源系列更多型号正在顺利研发中，后续将陆续推出并实现产业化，助力解决纳米级高精度世界各类物理性缺陷和损伤。

国产射线源的量产不仅满足半导体、电子制造、新能源等领域对高精度检测的迫切需求，更降低了工业检测的成本与门槛，赋能智能制造产业升级。