浙江
Phison（群联电子）总裁潘健成（Pua Khein-Seng）近日警告称，受AI基础设施大规模建设影响，整个半导体供应链压力激增，其中经常被忽略的重要环节就是NAND闪存存储。他表示，NAND闪存短缺可能会从2026年开始，持续长达十年，这一判断远超以往行业普遍认为的1到2年短缺周期。
潘健成指出，当前NAND闪存市场面临供应紧张的主要原因，是上一轮投资后的“后遗症”所致。早前因为市场周期导致价格暴跌，各大闪存制造商纷纷收缩投资步伐，减缓扩产速度。自2023年左右开始，大量资本流向高带宽存储（HBM）领域，用于AI模型训练，因为后者利润空间更大，导致NAND领域投入减少，恰逢此时NAND需求再次上升。
他强调，云计算领域的重点也正在从AI训练转向推理阶段，而推理运算和模型存储将持续带来大量NAND闪存需求。作为SSD主控芯片的重要设计商，群联对市场需求变化的感知极具前瞻性。
目前，这一变化已影响到存储产品供应商的策略和采购节奏。例如，新的存储模块趋向将闪存更贴近内存总线，库存压力加大，一些供应商已开始提价或冻结折扣。潘健成预期，随着容量增长和价格逐渐接近机械硬盘（HDD），SSD将吞噬更多大容量存储市场，而当前机械硬盘的供货周期也已拉长。如果他对行业十年短缺的判断成为现实，数据中心将必须持续扩充存储能力，并将更多资金投入存储基础设施。
他还表示，扩建新的晶圆厂并非易事，而且目前NAND厂商在高利润的HBM领域仍有较高兴趣，在这种情况下，各方能否及时扩产以缓解长期缺口，还未有定论。
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