带宽翻倍，能效提升40%！SK海力士宣布已完成HBM4研发

2025年9月12日，SK海力士宣布已成功完成面向超高性能人工智能（AI）的下一代高带宽内存（HBM4）研发，并率先建成量产体系，成为全球首家实现该突破的企业。

HBM4：性能与能效的双重突破

HBM（高带宽内存，High Bandwidth Memory）是一种高性能存储产品，通过垂直互连多颗DRAM（动态随机存取存储器）芯片，显著提升数据处理速度。HBM技术已发展至第六代，从初代HBM逐步演进至HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E，直至最新的HBM4。

SK海力士的HBM4在性能和能效上实现突破，主要体现在以下几个方面：

1、带宽翻倍

采用2048个输入/输出（I/O）端子，较上一代（HBM3E为1024个）增加一倍，数据处理速度大幅提升，单颗HBM4封装每秒可处理的数据量（带宽）达到业界领先水平。

2、能效提升超40%

通过优化设计，HBM4显著降低功耗，助力数据中心降低运营成本。

3、运行速度超10Gbps

该性能指标远超JEDEC（电子器件工程联合委员会）制定的8Gbps标准，为人工智能应用提供更高效的数据传输。

得益于这些技术优势，HBM4可将人工智能服务性能提升最高69%，有效解决数据瓶颈问题，显著降低数据中心的电力消耗。

先进工艺保障量产可靠性

SK海力士在HBM4中采用了成熟的MR-MUF（批量回流模塑底部填充）工艺和1bnm（10纳米级第五代）工艺，确保产品的高可靠性和量产稳定性。

MR-MUF是一种先进半导体封装工艺，通过注入液态保护材料并固化，可提升芯片间电路保护和散热效率，并优化芯片间电路保护。相较传统薄膜工艺，具备更优的散热效率和翘曲控制能力，大幅降低堆叠芯片的物理应力，为HBM4的稳定量产提供了关键保障。

应对人工智能时代的需求

随着人工智能应用的爆发式增长，市场对高带宽、低功耗存储产品的需求激增。数据中心的运营功耗持续攀升，能效已成为客户核心考量因素。SK海力士的HBM4凭借卓越的带宽和能效表现，被认为是满足未来人工智能基础设施需求的理想解决方案。

SK海力士HBM研发部门负责人**赵周焕（Joohwan Cho）**表示：“HBM4的研发成功是存储行业的新里程碑。我们将通过及时供应高性能、高能效、高可靠性的产品，满足客户需求，确保市场竞争优势。”

迈向全方位人工智能存储解决方案

SK海力士人工智能基础设施部门总裁Justin Kim）表示：

“我们现在自豪地宣布，SK海力士建成全球首个HBM4量产体系。HBM4不仅是技术上的重大突破，更是超越人工智能基础设施现有局限的标志性产品。我们将继续提供高品质、多性能的存储解决方案，成长为全方位人工智能存储领导者。”

SK海力士通过HBM4的研发和量产，展现了其在全球存储市场的技术实力和前瞻布局。未来，公司将持续推动存储技术创新，为人工智能时代提供更高效、更可靠的解决方案。小编将在第一时间分享更多相关最新动态和爆料，敬请关注。