天津
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（全球TMT2025年9月11日讯）8英寸特色晶圆代工厂DB HiTek宣布，其下一代功率半导体平台--650V增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)工艺开发已进入最终阶段。该公司还将于10月底推出专属氮化镓多项目晶圆(MPW)项目。650V增强型氮化镓HEMT凭借其高速开关性能与稳健的运行稳定性，成为电动汽车充电设施、超大规模数据中心电源转换系统及先进5G网络设备的理想选择。
此后，DB HiTek计划在2026年底前推出200V氮化镓工艺及针对集成电路优化的650V氮化镓工艺。为支持这些举措，DB HiTek正在扩建位于韩国忠清北道的Fab2洁净室设施。此次扩建预计每月新增约3.5万片8英寸晶圆产能，支持氮化镓、BCDMOS和碳化硅工艺的生产。扩建完成后，DB HiTek的晶圆月总产能将提升23%，从15.4万片增至19万片。
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