高盛：中国光刻机仍停留在65nm，落后国际先进水平20年！网友：卡不住喉咙又说落后了吧

“中国光刻机技术落后国际领先水平约 20 年，国产光刻机还停留在 65nm，这是不是意味着我们在高端芯片领域只能被‘卡脖子’，难以实现自给自足？” 这是很多人看到高盛发布的这一消息后，心中会浮现这样的问题！

光刻技术是在晶圆上构建精细电路的关键，是芯片制造流程中的决定性瓶颈。当前，全球领先的芯片制造商如台积电，正利用 ASML 的光刻机大规模生产 3nm 芯片，并且即将量产 2nm 芯片。而中国国产光刻机的技术水平曾长期停留在相对陈旧的 65nm 制程，落后国际领先水平约 20 年。

高盛的报告还引述公开数据强调，ASML 为了从 65nm 技术跃升至低于 3nm 的光刻能力，经过了二十年的时间，并投入了高达 400 亿美元的研发与资本支出。综合考量中国当时技术水平与所需庞大投入，以及全球供应链的复杂依赖性，高盛认为中国光刻机厂商在短期内赶上西方先进技术的可能性较小，也给中国在高端芯片领域达成自给自足的愿望，设下了巨大的障碍。

从相关内容来看，美国和荷兰政府的禁令给中国科技产业带来深远影响，本土晶圆制造商难以获取先进光刻机，先进制程芯片制造水平目前停留在 7nm 级别。即便中芯国际能生产 7nm 芯片，也极可能是通过 ASML 较旧的深紫外光（DUV）光刻机来制造，因为中国尚不具备制造这类先进光刻机的能力，其核心零组件主要依赖全球供应商，尤其是美国和欧洲的供应商。

中国从未在高端芯片与光刻机领域停下追赶的脚步。近年来，中国在光刻机技术方面不断取得突破。上海微电子已成功研制出 28nm 工艺的光刻机，打破了国外在该领域的长期垄断，虽然与国际最先进的 EUV（极紫外）光刻机仍有差距，但这是中国在高端光刻机领域迈出的坚实一步。同时，国内科研机构和企业在光刻机核心部件，如光源、镜头、工作台等方面也在持续攻关，部分部件已实现国产化替代，为光刻机整体技术的提升奠定了基础。

近一两年国产光刻机企业形成 “四大门派”，对 ASML 发起有力挑战。上微作为领军者，90nm 前道光刻机稳定量产，满足物联网、汽车芯片需求，28nm 浸润式机型进入实测，且搭配国产光源降低对外依赖；2025 年成立的芯上微装，半年内就让先进封装光刻机拿下全球 35%、国内 90% 市占率，第 500 台设备已交付客户；浙大 “羲之” 电子束光刻机精度达 0.6 纳米，无需掩膜版提升研发效率，打破出口管制；天仁微纳纳米压印设备，适配 DOE、AR/VR 等领域，工艺可直接转移至量产线。

更令人振奋的是，在华为第二代三折叠 XTs 发布会上，华为大方亮出麒麟 9020 芯片。这款芯片采用了更为先进的制程工艺，其成功面世，表明中国在高端制程芯片领域已经实现全链路打通，完全自主可控，不受欧美任何技术影响。从芯片设计，到依托国内不断进步的制造设备与技术进行生产，再到封装测试等环节，中国正逐步构建起完整且自主的高端芯片产业链。这不仅是华为技术实力的彰显，更是中国芯片产业突破国外技术封锁、实现自主创新的有力证明，让曾经认为中国难以在高端芯片领域自给自足的质疑不攻自破。

随着研发投入的不断加大和技术的持续积累，相信中国在光刻机领域会取得更多突破性进展，逐步缩小与国际先进水平的差距，为高端芯片的自给自足提供更加强有力的支撑。

外企高管曾说过，只要中国有一家企业突破光刻机，中美芯片战争就会结束！

对于这样的发展，网友们也纷纷发表了自己的看法。

有网友激动表示：“看到华为 Mate XTs 上的麒麟 9020，真的太自豪了，咱们在高端芯片领域终于站起来了！高盛还唱衰，等着被狠狠打脸吧！”

也有网友感慨道：“从曾经的被‘卡脖子’，到现在全链路打通，这一路的突破太不容易，高盛那些看低中国的言论，根本没考虑到我们中国人的拼搏精神，为中国科技点赞！”

还有网友理性展望：“高盛老用静态眼光看我们，却没看到中国在科技领域的爆发力。现在有了不错的开端，但未来仍需继续努力，期待中国芯片产业更多的好消息，让高盛的预言彻底落空。”

“高盛就是习惯性唱衰中国科技，可事实是我们一直在突破，麒麟 9020 就是最好的回应，咱们用实力说话，比什么都强！”

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