拓荆科技董事长吕光泉：集成电路创新路径需从平面走向三维

导语
近日，拓荆科技董事长吕光泉在行业论坛上表示，集成电路未来的创新路径需要从平面走向三维。这一观点引发业界广泛关注。随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，三维集成被认为是半导体技术继续提升性能、降低能耗的关键方向。对于资本市场和产业链而言，这不仅是技术趋势的研判，也是投资布局的重要信号。

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一、从平面到三维的必然选择
传统集成电路依靠平面工艺缩小晶体管尺寸，不断提升芯片性能。但随着工艺节点逐步接近纳米级极限，晶体管缩小面临物理瓶颈：
量子效应增强：器件尺寸过小导致漏电流增加；
制造难度加大：光刻与材料成本急剧上升；
功耗与散热问题突出。
三维集成电路通过垂直堆叠的方式，将更多器件集成在有限空间中，不仅提升集成度，也能降低互连延迟和能耗。这已成为国际半导体巨头普遍探索的方向。
二、三维集成的技术路径
3D封装与堆叠
通过硅通孔（TSV）、晶圆级封装等工艺，将不同芯片功能模块垂直堆叠，实现高带宽和低延迟。
异构集成
逻辑芯片、存储芯片、射频器件等不同功能模块在三维架构中协同工作，形成系统级解决方案。
先进材料应用
新型介质材料、导电材料和散热技术将是三维集成落地的关键支撑。
三、对半导体产业链的影响
设备环节受益
三维集成需要新的刻蚀、沉积和检测设备，相关厂商将迎来需求增长。
材料环节机会凸显
高性能封装材料、导电材料和散热材料市场空间进一步扩大。
设计与封测环节升级
EDA工具与封测企业需加快迭代，以适应三维架构的复杂性。

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四、资本市场的解读
成长逻辑强化
三维集成被视为突破摩尔定律瓶颈的核心路径，相关概念股可能获得市场更高估值溢价。
龙头企业受益明显
具备设备、材料和封装能力的龙头公司，将在三维集成的浪潮中率先获益。
投资方向多元化
不仅是芯片制造企业，封装、EDA软件、散热解决方案提供商也将成为资本追逐的重点。
五、潜在挑战与风险
技术成熟度不足
三维集成尚处于规模化应用的早期阶段，良率和成本问题仍待解决。
产业协同难度大
三维集成涉及设计、制造、封装多环节，跨产业链的协同效率直接影响落地进程。
市场竞争激烈
国际巨头与本土企业几乎在同一赛道发力，竞争压力和技术专利壁垒并存。

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六、结语
拓荆科技董事长吕光泉提出“集成电路创新路径需从平面走向三维”的观点，直指行业未来发展的关键方向。在摩尔定律逐渐失效的背景下，三维集成将成为推动半导体性能提升的重要突破口。
从财经角度看，这一趋势不仅是技术演进的必然结果，也是资本市场新的投资逻辑。谁能在设备、材料、设计和封装等环节率先实现突破，谁就有望在下一轮全球半导体竞争中占据优势。