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金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，塞姆西斯科有限责任公司申请一项名为“用于对基底进行区域选择性处理的电蚀刻方法”的专利，公开号CN120548388A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本公开涉及一种用于对基底(3)进行区域选择性处理的电蚀刻方法以及一种用于对基底(3)进行区域选择性处理的电蚀刻系统。方法包括：基底(3)，所述基底包括至少部分地被至少一种导电材料覆盖的表面(3a)和至少部分由所述导电材料形成的结构(3b)，使得所述结构(3b)通过覆盖所述表面的导电材料进行电连接(步骤S1)；用电解液覆盖所述基底(3)(步骤S2)，向所述基底施加电位(步骤S3)，通过所述电位和所述电解液的组合对导电材料进行电蚀刻(步骤S4)，以及继续电蚀刻，直到所述表面(3a)的导电材料被去除，使得所述结构(3b)不再通过覆盖所述表面的导电材料进行电连接(步骤S5)。
本文源自：金融界
作者：情报员
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