北京
一直以来，磷化铟作为光通信、量子计算等领域的核心材料，因面临大尺寸制备的技术瓶颈和高昂的成本，其产业化应用受限，业界主流停留在3英寸工艺阶段。
近日，我国在磷化铟材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。有望推动国产光芯片成本降至3英寸工艺的60%～70%，有助于增强国产光芯片市场竞争力。 一文梳理受益的 核心龙头股！
一、核心材料与晶片制造
三安光电（600703）
国内化合物半导体全产业链龙头，覆盖磷化铟外延片及光芯片研发，产品适配16T光模块，与华为海思深度合作。云南锗业（002428）
子公司鑫耀半导体实现2-4英寸磷化铟晶片量产，技术指标国际领先，获华为哈勃投资并计划扩产至15万片/年。
二、衬底与器件应用
海特高新（002023）
通过参股公司华芯科技量产磷化铟衬底，稳定供应光通信行业，布局光芯片及光模块产业链。凯德石英
为通美晶体供应磷化铟衬底材料，合作覆盖光模块核心环节。
锡业股份
全球铟资源储量第一，作为云南锗业上游供应商，深度绑定磷化铟材料供应链。光迅科技
光器件IDM龙头，具备垂直整合能力，为华为液冷服务器核心供应商，联合开发光液协同散热系统。
四、其他潜力企业
博杰股份 ：参股鼎泰芯源布局磷化铟单晶材料商业化生产 。
有研新材 ：具备磷化铟制备专利，但暂无产业化计划。
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