北京
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九峰山实验室今日官微消息，九峰山实验室近日在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。这一成果也是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用。作为光通信、量子计算等领域的核心材料，磷化铟（InP）材料的产业化应用长期面临大尺寸制备的技术瓶颈，业界主流停留在3英寸工艺阶段，高昂的成本使其无法满足下游产业应用的爆发式增长。而九峰山实验室突破大尺寸外延均匀性控制难题，为实现6英寸磷化铟（InP）光芯片的规模化制备打下基础。九峰山实验室本次联合国内供应链实现全链路突破，对促进我国化合物半导体产业链协同发展有着重要影响。其中，九峰山实验室本次技术突破中6英寸磷化铟（InP）衬底合作方云南鑫耀的6英寸高品质磷化铟单晶片产业化关键技术已实现突破，量产在即。从股权结构来看，云南鑫耀为云南锗业(002428)子公司，主营半导体材料研发生产。
本文源自：金融界AI电报
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