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金融界2025年8月18日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种多点位失效分析样品处理方法”的专利，公开号CN120489663A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明提供一种多点位失效分析样品处理方法，包括以下步骤：S1.提供包含多个失效分析点的半导体样品，相邻失效分析点的水平间距≥200μm；S2.选取待检测的目标失效分析点，采用可移除的粘性保护层覆盖除所述目标失效分析点目标位置外的区域；S3.对所述目标位置执行研磨操作，直至暴露与所述目标失效分析点对应的目标结构；S4.对暴露的所述目标结构进行数据采集；S5.移除所述粘性保护层，对其余失效分析点依次重复步骤S2至S4，直至完成所有失效分析点的数据采集。本发明针对≥200μm间距的失效分析点，通过保护层构建物理隔离边界，避免研磨过程中机械力或离子束能量向相邻区域扩散，解决了大间距场景下传统机械研磨精度失控及PFIB范围不足的问题。
本文源自：金融界
作者：情报员
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