北京
金融界2025年8月12日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN120475710A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决形成电容结构的形貌较差的问题。本公开提供的一种半导体结构包括晶体管结构、第一介质层、第二介质层、电容结构和导电接触结构。其中，第一介质层和第二介质层位于晶体管结构的一侧且沿第一方向层叠设置。电容结构沿第一方向贯穿第二介质层以及部分第一介质层。导电接触结构位于第一介质层，导电接触结构与电容结构和晶体管结构均接触。通过分别在第二介质层中形成一部分电容通孔和部分第一介质层中形成一部分电容通孔，有利于保持电容通孔的形貌的均匀性，在该电容通孔中形成的电容结构的表面形貌均匀性会较好，有利于提高电容结构的电学性能。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1397次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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