北京
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据媒体报道，闪迪宣布，已与SK海力士签署一项谅解备忘录，双方将共同制定高带宽闪存 (High Bandwidth Flash，HBF) 规范。今年2月，闪迪首次提出HBF高带宽闪存概念。这是一种专为AI领域设计的新型存储器架构，结合了3D NAND闪存和高带宽存储器（HBM）的特性。闪迪目标是在2026年下半年推出首批HBF内存样品，并预计首批采用HBF的AI推理设备样品将于2027年初上市。
今年以来，包括闪迪在内的多家存储大厂计划上调产品价格。随着原厂控产稳价，AI与智能终端等拉动需求回暖，存储行业有望进入新一轮涨价周期。甬兴证券表示，受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，存储芯片产业链有望探底回升。
本文源自：金融界
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