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金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN120456611A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本申请公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底，多个浅沟槽隔离，沟道层以及至少一栅极结构。浅沟槽隔离设置在衬底中，包括依序堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。沟道层直接接触衬底的顶面和侧壁、和第一绝缘层的顶面。至少一栅极结构设置在沟道层上，包括依序设置的栅极电介质层和导电层，栅极电介质层直接接触沟道层的顶面。由此，半导体器件的组件效能得以提升，从而优化半导体器件的操作表现。
天眼查资料显示，福建省晋华集成电路有限公司，成立于2016年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3447733.068816万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省晋华集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目561次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息938条，此外企业还拥有行政许可75个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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