北京
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金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，罗姆股份有限公司申请一项名为“SiC半导体装置”的专利，公开号CN120457787A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明的SiC半导体装置包括：第一导电型的SiC层，其包括主面，且在层叠方向具有轴沟道；沟槽，其形成于所述主面，且在与所述SiC层的底部之间划分出下侧区域；以及第二导电型的柱区域，其在所述SiC层内形成于所述下侧区域，且沿着所述轴沟道延伸。
本文源自：金融界
作者：情报员
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