北京
金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种基于交直流综合调控的多晶硅沉积方法”的专利，公开号CN120440900A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，本发明涉及作为半导体或太阳能产业的主原料使用的多晶硅沉积技术领域，尤其涉及一种基于交直流综合调控的多晶硅沉积方法，该方法包括基于硅芯棒开始生长至符合生长标准过程中的平均温度波动值以及硅芯棒开始生长至符合生长标准的最大时间差值确定硅芯棒的稳定倾向类型；基于硅芯棒的稳定倾向类型确定基于硅芯棒的直径或基于硅芯棒的最大温度波动值确定是否引入交流电加热硅芯棒；基于交流电引入后预设时长内硅芯棒生长均匀程度的波动程度和/或硅芯棒与进气口的最小距离确定获取沉积过程中密闭空间内气体扩散区域的图像数据，或开启进气口预热装置，本发明通过引入交直流电场综合调控多晶硅沉积过程提高了多晶硅沉积效率。
天眼查资料显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司，成立于2015年，位于徐州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本148571.4288万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏鑫华半导体科技股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息198条，此外企业还拥有行政许可51个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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