北京
分享至
金融界2025年8月8日消息，国家知识产权局信息显示，东亚合成株式会社;日商日本先端化学股份有限公司申请一项名为“含SiC膜及其制造方法”的专利，公开号CN120457240A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种新型的制造方法等，其能够以高生产率的制造工艺使硅原子的含有比例相对较高的含SiC膜高效且保形地成膜。一种含SiC膜的制造方法，其包括以下工序：作为原料气体，准备XpHnSim‑C≡C‑SiqHrXs(式中，m为0以上且4以下的整数，n和p为0以上且2m+1以下的整数、并且满足n+p＝2m+1，q为1以上且4以下的整数，r和s为0以上且2q+1以下的整数、并且满足r+s＝2q+1，另外，X分别独立地为选自F、Cl、Br、I的卤素元素)的工序(S1工序)；以及，将所述原料气体供给到容纳了具有成膜面的被处理物的腔室内，通过利用热反应的化学气相沉积法或原子层沉积法，使含SiC膜在所述成膜面上成膜的工序(S2工序)，所述含SiC膜以Si和C为主要成分、并且硅原子数相对于碳原子数之比(Si/C)为0.70以上。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
