北京
金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，深圳光峰科技股份有限公司取得一项名为“离子束刻蚀系统以及装置”的专利，授权公告号CN223193754U，申请日期为2024年09月。
专利摘要显示，本申请公开了一种离子束刻蚀系统以及装置，包括：离子束组件，用于出射多个离子束；载片组件，用于承载刻蚀基底，刻蚀基底用于被多个离子束刻蚀形成倾斜光栅结构，刻蚀基底所在平面与离子束组件的出射面之间的夹角呈设定角度；旋转组件，用于通过带动目标组件绕其对应的第一旋转轴旋转，以控制刻蚀基底上的不同区域在不同时刻被不同的离子束刻蚀，第一旋转轴平行于目标离子束的出射方向，目标组件包括离子束组件以及载片组件中的至少一个。如此，由于旋转过程中投射至刻蚀基底同一区域的离子束的轰击能量发生变化，但离子束的刻蚀方向以及角度不变，可以提升刻蚀形成的倾斜光栅结构的均匀性，并保持倾斜光栅结构的倾斜角度以及倾斜方向不变。
天眼查资料显示，深圳光峰科技股份有限公司，成立于2006年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本45929.1145万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳光峰科技股份有限公司共对外投资了23家企业，参与招投标项目439次，财产线索方面有商标信息395条，专利信息2289条，此外企业还拥有行政许可70个。
本文源自金融界
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