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金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“针对半导体器件上的功率传输的改进的接触结构”的专利，公开号CN120391093A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种具有改进的背侧金属触点的半导体结构包括场效应晶体管内的多个源极/漏极区域。背侧金属触点被电连接到多个源极/漏极区域中的至少一个源极/漏极区域。背侧金属触点包括第一锥形轮廓。半导体结构还包括通过背侧金属触点而被电连接到至少一个源极/漏极区域的背侧功率轨。背侧功率轨包括与第一锥形轮廓不同的第二锥形轮廓。
本文源自：金融界
作者：情报员
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