北京
金融界 2025 年 7 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种 MOS 管的侧墙形成方法”的专利，公开号 CN120390441A，申请日期为 2025 年 03 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种 MOS 管的侧墙形成方法，属于半导体技术领域，该 MOS 管的侧墙形成方法，包括提供衬底，所述衬底表面形成有若干个栅极，用于构成 MOS 管；在所述栅极的侧壁形成第一侧墙，并在所述第一侧墙的外侧设置刻蚀缓冲层，继续在所述刻蚀缓冲层外形成第二侧墙，所述第一侧墙和所述第二侧墙均为氮化硅，所述刻蚀缓冲层通过钝化所述第一侧墙形成；回刻蚀 NMOS 管栅极的第二侧墙，直至所述 NMOS 管栅极侧壁的膜层具有所需厚度，其中，所述氮化硅和所述刻蚀缓冲层的刻蚀选择比大于 1。通过在两层氮化硅之间设置刻蚀缓冲层，利用刻蚀缓冲层和氮化硅之间刻蚀速率的差异进行选择性刻蚀，避免 MOS 管栅极侧墙过刻蚀。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目720次，专利信息146条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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