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金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“具有受控横向隔离沟槽深度的三维存储器设备及其形成方法”的专利，公开号CN120380857A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，一种存储器设备包括：下部源极级半导体层；源极接触层；上部源极级半导体层；绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠、该上部源极级半导体层和该源极接触层；和存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中并且包括存储器膜和竖直半导体层，该竖直半导体层具有接触该源极接触层的表面区段。在一个实施方案中，上部源极级半导体层可局部增厚以在形成横向隔离沟槽期间提供足够的抗蚀刻性。在另一个实施方案中，牺牲线沟槽填充结构可在形成横向隔离沟槽期间用作蚀刻阻止结构。
本文源自：金融界
作者：情报员
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