北京
金融界2025年7月22日消息，国家知识产权局信息显示，厦门芯达茂微电子有限公司申请一项名为“一种MOSFET器件及其制造方法”的专利，公开号CN120358769A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体功率器件领域，特别涉及一种MOSFET器件及其制造方法，其包括下列步骤：在衬底上蚀刻形成沟槽，沟槽具有侧壁和底壁，侧壁连接底壁并形成拐角；在沟槽内设置肖特基金属层，肖特基金属层覆盖沟槽的侧壁、底壁和拐角；在肖特基金属层的表面设置氧化硅层，氧化硅层位于沟槽内，氧化硅层的上表面低于预设的P阱区的结深；去除未被氧化硅层覆盖的肖特基金属层。借此，可有效改善MOSFET器件在沟槽底部拐角处栅氧化层容易击穿失效的问题，并且具有高耐压、低开启电压和低开关损耗的特性，可以作为续流二极管来替代额外的二极管。
天眼查资料显示，厦门芯达茂微电子有限公司，成立于2018年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本7800万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门芯达茂微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息47条，此外企业还拥有行政许可13个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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