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金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“在阶梯区中包含复合介电隔离结构的三维存储器设备及其形成方法”的专利，公开号CN120345358A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，一种三维存储器设备包括导电层与绝缘层的横向间隔开的竖直堆叠。复合介电隔离结构在相邻的多对竖直堆叠之间提供电隔离。该复合介电隔离结构包括至少一个回刻台阶式介电材料部分，并且能够还包括至少一个鳍式绝缘支撑结构或者介电材料板的竖直堆叠。
本文源自金融界
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