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近来有关英特尔18A（1.8nm）工艺的消息不断。据媒体报道，英特尔正在考虑对其晶圆代工策略进行调整，停止向新客户推销18A，改为集中资源发展下一代14A工艺，以“跳级”的方式，追赶台积电更先进的工艺。相关策略最快会在7月的董事会上讨论。
英特尔18A在良率近期取得进展，从上一季度的50%提升至55%，高于三星的2nm工艺（约为40%）的良率水平，但仍低于台积电2nm工艺（约65%）的水平。这使英特尔内部担心其对新客户的吸引力不足，因而考虑对新的代工客户跳过18A制造工艺，将更多资源集中在下一代芯片制造工艺14A上。英特尔预计该工艺将比台积电更具优势。
但是不得不说，这样的做法与晶圆代工厂的思维是不相符的。晶圆代工行业的核心宗旨是“以用户为中心”。用户需要什么样的工艺，代工厂就提供什么。一家良性运转的晶圆代工厂，旗下的工艺平台可能不是最先进的，但一定要是最贴近用户需求的。其应当拥有丰富的工艺平台，例如先进逻辑工艺、特色工艺、定制化工艺等；可以提供设计与技术协同服务，如工艺设计套件，PDK 需支持主流EDA工具等；拥有丰富的IP库；可以提供设计咨询和技术支持，解决客户在设计阶段遇到的工艺相关问题等。
当然，对一家晶圆代工厂来说，良率依然是最核心的要素。达不到一定程度的良率水平，业界的量产线一般为70%，客户很难对其放心选择。而跳级追赶先进工艺，似乎是在工艺节点超前了一步，但实际结果却存在很多不确定性，最直接的表现就是良率不达标。
对英特尔而言，18A同时引入了 RibbonFET晶体管架构（取代FinFET）和PowerVia背面供电技术。这两者均属颠覆性创新。虽然目前18A的良率从10%升至55%，但仍落后于台积电N2的65%。未来，14A量产的时候，问题复杂度可能更高。暂缓承接18A的外部订单，仅服务英特尔内部产品，而将外部代工押注于下一代14A工艺，一方面有可能错失当前高端市场窗口，目前的规划是2027年量产；另一方面，也会滞后英特尔的生态建设，进一步降低外部设计公司对其的适配意愿。
其实，类似跳级追赶的做法以前三星也有过尝试。这些年来，三星在7nm、5nm、3nm工艺上几乎都要提前台积电半年到1年推出。为此不惜在良率不高、用户不足的情况下开启新进程。但受限于技术如晶体管密度，以及良率问题，在与台积电的比拼中，三星始终落于下风。苹果、英伟达、AMD、高通、联发科大都最终选择在台积电投片。
反观台积电，它也并不是一开始就占据全球最先进工艺宝座。2010年代以前，在工艺制程上，台积电是落后于英特尔等IDM大厂的。但台积电并没有选择跳级追赶的做法，而是一个一个工艺结点向前推进，把工艺平台做扎实。
对于设计用户来说，始终只有少数选择最先进的工艺平台，AMD、博通等公司对3nm、5nm、6nm同样有着大量需求。全球代工市场对成熟工艺的需求同样巨大。从这一点来看，以“跳级”方式追赶台积电更先进的工艺，并不一定是最佳策略。英特尔如果想要深入代工这个行业，把工艺平台做深做透才是最佳方案。
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