北京
金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种制作半导体结构的方法及装置”的专利，公开号CN120319663A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明公开了一种制作半导体结构的方法及装置，属于半导体制作领域。所述制作方法至少包括：提供一衬底，所述衬底上包含至少一个硅导电区域；在所述衬底上形成金属层；通过第一次退火，所述金属层和所述衬底上的所述硅导电区域反应形成第一金属硅化物；将所述衬底放入刻蚀反应槽内，去除未反应的所述金属层，在去除所述金属层时，所述刻蚀反应槽内的刻蚀液依次经过溶解槽和吸附槽，返回所述刻蚀反应槽；取出所述衬底，对所述第一金属硅化物进行第二次退火，形成第二金属硅化物。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目628次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1142条，此外企业还拥有行政许可21个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
