北京
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金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“降低RRAM形成电压的邻近加热器”的专利，公开号CN120283472A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种计算机存储设备(200)包括底部电极(204)、顶部电极(248)和布置在顶部电极(248)和底部电极(204)之间的存储器组件(244)。存储器组件(244)由电介质固态材料制成，并且与顶部电极和底部电极直接接触。计算机存储设备还包括邻近加热器(232)，其被配置为增加存储器组件的一部分的温度。计算机存储设备还包括与邻近加热器(232)直接接触的电介质材料层。电介质材料层与底部电极(204)和顶部电极(248)中的一个直接接触。
本文源自：金融界
作者：情报员
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