北京
金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，盛吉盛半导体科技（无锡）有限公司申请一项名为“一种保护碳化硅板的工艺方法”的专利，公开号CN120261274A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种保护碳化硅板的工艺方法，包括如下步骤：S1、薄膜一次沉积S11、将碳化硅板放置于处理室中；S12、将稀释气体导入处理室中，稀释气体为氩气与氦气或者氩气与氮气的混合气体；S13、向处理室中引入射频交变电场，产生等离子体；S14、向处理室中引入反应气体，反应气体发生分解，在碳化硅板上沉积膜层；S2、薄膜刻蚀S21、处理室中停止供应反应气体，向处理室中引入氧气；S22、氧气分解为氧离子，氧离子与膜层发生反应，刻蚀膜层；S3、薄膜二次沉积S31、停止供应氧气，处理室中重新引入反应气体；S32、反应气体发生分解，在刻蚀后的膜层表面二次沉积膜层，反应气体为乙炔或丙烯。
天眼查资料显示，盛吉盛半导体科技（无锡）有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本7000万人民币。通过天眼查大数据分析，盛吉盛半导体科技（无锡）有限公司参与招投标项目5次，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可7个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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