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上个月，美光（Micron）宣布扩大在美国的投资规模，在原计划基础上再增加300亿美元，达到约2000亿美元，用于尖端DRAM制造（1500亿美元）和研发（500亿美元），同时会创造9万个直接和间接工作岗位。去年美光还与美国商务部达成的协议，后者将根据《芯片法案》为其商业半导体制造项目提供61.65亿美元的直接拨款，目标是未来十年内在美国制造旗下40%的DRAM产品。
据TomsHardware报道，最近美光详细介绍了更新后的美国晶圆厂投资，计划将持续20年。
第一部分涉及在爱达荷州博伊西建造世界上最大、最先进的DRAM生产设施之一，首座晶圆厂称为“ID1”，预计2027年下半年投产。其洁净室面积将达到60万平方英尺（55700平方米），大约是GlobalFoundries旗下Fab 8洁净室产能的两倍，与三星及SK海力士的大型晶圆厂相当。第二座晶圆厂“ID2”就在附近，受益于共享基础设施和研发共址，美光预计早于纽约的工厂投入使用，不过没有提供具体时间。
美光还计划在纽约克莱附近建造晶圆厂，分为四个阶段，洁净室面积与“ID1”相当，同样没有提供具体的投产时间。除了新建晶圆厂外，美光还将扩建弗吉尼亚州马纳萨斯的现有工厂，主要生产用于汽车、航空航天、国防和工业应用的存储芯片，升级后将具备HBM封装能力。按照美光的说法，要等爱达荷州博伊西的DRAM产能提升后，才会升级弗吉尼亚州马纳萨斯的设施。
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