北京
金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种碳基光刻材料的颗粒度测量方法”的专利，公开号CN120232779A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请涉及集成电路制造领域，公开了一种碳基光刻材料的颗粒度测量方法，包括：获得上表面沉积有介质层的基底；介质层与待测碳基光刻材料的种类不同；在介质层的上表面涂覆待测碳基光刻材料；刻蚀待测碳基光刻材料，刻蚀截止至待测碳基光刻材料与介质层的界面；测量介质层表面的目标颗粒分布信息；以基准颗粒分布信息作为参考，确定目标颗粒分布信息中增加的颗粒为待测碳基光刻材料的颗粒度；基准颗粒分布信息为介质层的上表面涂覆待测碳基光刻材料之前的颗粒分布信息。
天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目293次，财产线索方面有商标信息96条，专利信息2115条，此外企业还拥有行政许可87个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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