北京
金融界2025年6月25日消息，国家知识产权局信息显示，青岛佳恩半导体有限公司申请一项名为“一种金属SIN层-半导体结构额低损耗源漏GaN功率器件制备方法”的专利，公开号CN120201740A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种金属SIN层‑半导体结构额低损耗源漏GaN功率器件制备方法，属于电子元件技术领域，本发明包括：在氮化镓衬底上通过分子束外延生长高纯度GaN层控制点位密度；射频磁控溅射沉积SIN介电层；电子束蒸发沉积金属栅电极并确保精确对准；通过光刻和等离子体刻蚀定义源漏区域；采用离子注入形成高浓度掺杂区；根据热力学参数方程组计算结果进行热退火处理；利用旅行商问题优化算法确定欧姆接触最佳退火参数；沉积Ti/Al/Ni/Au多层金属源漏电极；进行器件封装测试并基于损耗矩阵分析优化工艺参数。该方法通过精确工艺控制和多物理场耦合优化，有效解决了GaN功率器件源漏区域高损耗问题。
天眼查资料显示，青岛佳恩半导体有限公司，成立于2015年，位于青岛市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本534.4165万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛佳恩半导体有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息51条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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