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金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有带有竖直分离的源极接触区和主体接触区的波纹沟道结构的集成电路(IC)”的专利，公开号CN120187092A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种具有带有竖直分离的源极接触区和主体接触区的波纹沟道结构的集成电路IC。一种IC装置(200)包含形成于半导体衬底(202)中或上方的一或多个波纹沟道结构(204A、204B)，其中波纹沟道结构(204A)包含第一侧壁表面(216A)、第二侧壁表面(216B)和顶部表面(208)。在实例中，所述IC装置(200)包含具有第一导电类型的延伸到所述波纹沟道结构(204A)的侧壁表面(216A、216B)中的第一接触区(229A、229B)，以及具有相反第二导电类型的延伸到邻近于所述侧壁表面(216A、216B)的水平表面(203、214)中的第二接触区(231)。
本文源自：金融界
作者：情报员
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