美光(Micron)宣布,将扩大在美国的投资规模,在原计划基础上再增加300亿美元,达到约2000亿美元,用于尖端DRAM制造和研发。这次追加的部分主要用在爱达荷州博伊西建造第二座尖端DRAM工厂,以及扩建位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂。
这项2000亿美元的投资计划里,其中1500亿美元用在扩大美国的DRAM制造,另外500亿美元用在开发更先进的存储半导体技术。其中涵盖了爱达荷州博伊西的两座工厂、纽约的四座工厂、弗吉尼亚州马纳萨斯的现有工厂和扩建项目、先进的HBM封装能力、以及推动美国创新和技术领导地位的研发。这些投资旨在使美光能够满足预期的市场需求,保持市场份额,并支持美光实现其DRAM美国生产占比40%的目标。
在爱达荷州博伊西第一座工厂是美光实现了关键的建设里程碑,计划2027年开始生产DRAM芯片,第二座工厂将提升产能,以满足由AI推动的不断增长的市场需求。在爱达荷州博伊西第二座工厂竣工后,美光计划将先进的HBM封装能力引入美国。
此外,弗吉尼亚州马纳萨斯的项目将提升美国本土DRAM制造能力,引入1α(1-alpha)工艺节点。这项投资将进一步升级生产线,以生产满足本土汽车、航空航天、国防和工业市场应用的特种DRAM产品。
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