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美光（Micron）宣布，将扩大在美国的投资规模，在原计划基础上再增加300亿美元，达到约2000亿美元，用于尖端DRAM制造和研发。这次追加的部分主要用在爱达荷州博伊西建造第二座尖端DRAM工厂，以及扩建位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂。
这项2000亿美元的投资计划里，其中1500亿美元用在扩大美国的DRAM制造，另外500亿美元用在开发更先进的存储半导体技术。其中涵盖了爱达荷州博伊西的两座工厂、纽约的四座工厂、弗吉尼亚州马纳萨斯的现有工厂和扩建项目、先进的HBM封装能力、以及推动美国创新和技术领导地位的研发。这些投资旨在使美光能够满足预期的市场需求，保持市场份额，并支持美光实现其DRAM美国生产占比40%的目标。
在爱达荷州博伊西第一座工厂是美光实现了关键的建设里程碑，计划2027年开始生产DRAM芯片，第二座工厂将提升产能，以满足由AI推动的不断增长的市场需求。在爱达荷州博伊西第二座工厂竣工后，美光计划将先进的HBM封装能力引入美国。
此外，弗吉尼亚州马纳萨斯的项目将提升美国本土DRAM制造能力，引入1α（1-alpha）工艺节点。这项投资将进一步升级生产线，以生产满足本土汽车、航空航天、国防和工业市场应用的特种DRAM产品。
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