多家半导体巨头入局Active bridge市场，带来多款有源桥转换器

前言

在AC-DC电源中，随着电源功率的增大，整流桥二级管导通损耗成为制约系统效率的一项重要因素。而有源桥（Active Bridge）是一种技术较为领先的电力电子转换器，它通过使用全控型有源器件（如晶体管或MOSFET）替换传统整流桥中的二极管，有效降低了整流过程中的导通损耗，从而提升了整个电源系统的效率。

有源桥转换器的核心优势在于其双向功率流动能力和电气隔离特性，这使得它在高功率密度电源设计中能够实现能量的双向传输，非常适合于需要能量回馈或电压和电流方向可逆的应用场景。此外，有源桥转换器还可通过软开关技术，如零电压开关（ZVS）或零电流开关（ZCS），减少了开关损耗，进一步提高了电源转换效率。

Active bridge

充电头网汇总了三家半导体企业推出的多款有源桥转换器芯片，并汇总成下表所示。

以下排名不分先后，按企业英文首字母排序。

ADI亚德诺

ADI LT4322

LT4322 是一款浮地高压有源整流控制器，设计用于替代传统的整流二极管。它通过驱动外部 N 沟道 MOSFET，实现低至 25mV 的正向压降，从而最大限度地提高整流效率。LT4322 的工作电压范围广泛，从 9V 到超过 500V，支持的输入频率范围为直流到 100kHz。该芯片适用于单相、三相和六相桥式整流器、汽车交流发电机桥式整流器、离线有源桥式整流器、三相航空电源和高压直流二极管 OR 反向阻断等应用场景。

AOS 万国

AOS AlphaZBL

AlphaZBL系列产品是AOS万国（以下简称：AOS）专为需要高效率的AC/DC电源供应器设计的有源式桥式整流器系列。这些整流器适用于包括适配器、个人电脑、一体化服务器、服务器、电信设备等。通过使用领先的同步整流器技术，AlphaZBL能够在AC/DC系统中实现自供电，同时保持超低的静态电流，从而显著减少功耗和热量产生。

AlphaZBL系列产品通过用HV MOSFET取代桥式整流器中的二极管，有效提高了整个电源系统的效率，减少功率损耗，同时该系列产品具有非常低的外部部件数量，可大大简化电源设计，缩短工程开发时间。由于降低了功耗，AlphaZBL有助于降低整流器部分的热产生，改善热管理。而且得益于其自供电的特性，减少了外部电源需求，有效增加了系统的灵活性。

AOS目前提供了不同型号的AlphaZBL产品，包括独立控制器AOZ7200CI和AOZ7203AV，以及集成MOSFET管的AOZ7270DI和AOZ7271DV，可以适应不同设计需求和封装偏好，每个型号都有其独特的特性和封装选项，设计者可以根据具体的应用需求进行选择。

首发的两款产品分别为采用SOT-23封装的独立控制器AOZ7200CI以及采用DFN5x7封装的AOZ7270DI，集成600V/190mΩ MOSFET的控制器。其中，AOZ7200CI与AOS的超结MOSFET系列配对可提供最大的灵活性，以权衡性能和成本。AOZ7270DI利用AOS在新颖的IC设计、超结MOSFET技术和在封装上的创新来减少组件数量和工程开发时间。两款产品均由侦测交流电源实现自我供电，无需增加外部电路即可自行提供产生工作电压。而自我供电方案是从交流线路中汲取最小的电流，使其在轻载模式或待机模式下的效率表现非常高效。

AOZ7200CI

AOZ7200CI 是一款零桥损耗 AlphaZBL 控制器，用于控制外部 N-MOSFET，以在AC/DC二极管桥式整流应用中替代二极管，以减少功率损耗和热量散发。这款控制器支持90V至264V的输入电压，内置耐压600V MOS管，支持最大280W的输出功率。

AOZ7200CI 可以用于 AC/DC 转换器，特别是在高电压桥式整流器应用中，能够替代高压桥式整流器中的功率二极管，通过减少正向传导损耗和反向恢复损耗来提升整个系统的效率。

AOZ7200CI 由侦测交流电源实现自我供电，无需增加外部电路即可自行提供产生工作电压。具有1mV的低反向阈值，有助于减少能量损耗。静态电流仅有5μA，有助于降低空载功耗，同时空载损耗在264V电压工作条件下小于150mW。

AOZ7200CI采用SOT23-5 封装，设计简洁，外部部件数量少，有助于简化应用并提高可靠性。

AOZ7203AV

AOZ7203AV 是一种零桥损耗 AlphaZBL 控制器，用于控制两个外部 N-MOSFET，以在AC/DC二极管桥式整流应用中替代两个低侧二极管。AOZ7203AV 可以帮助电源减少功耗和热量散发，并可以更容易地达到钛级效率，缩短工程开发时间。

AOZ7203AV 从交流电源线自行供电，无需额外的电压供应，内部集成X电容放电功能，采用SO-8封装，采用1x2驱动设计，设计简洁，外部部件数量少，非常适用于高端适配器、台式机、游戏机、服务器和电信电源供应器等领域。

AOZ7271DV

AOZ7271DV是一款零桥损耗 AlphaZBL 控制器，用于控制外部 N-MOSFET，以在AC/DC二极管桥式整流应用中替代二极管。AOZ7271DV可以帮助电源减少功耗和热量散发，缩短工程开发时间。

AOZ7271DV内置125mΩ/600V N-MOSFET，反向阈值仅有0.8mV，静态电流仅有5μA，从交流电源线自行供电，无需额外的电压供应，并且提供8mm×8mm的DFN-4L封装。

AOZ7270DI

AOZ7270DI是由一款高效集成MOSFET的有源桥式整流器，属于其AlphaZBL产品系列。这款芯片内部集成了190mΩ/600V N-MOSFET，用以替换传统的高电压桥式整流器中的功率二极管，从而显著提升电源系统的效率。

AOZ7270D采用自供电设计减少了对外部电源的依赖，低至1mV的反向阈值和5uA的低静态电流有助于在降低功耗的同时保持效率高效。此外，该芯片采用热增强型设计，外部部件需求少，大大简化了设计流程，还降低了整体成本，并提高了系统的可靠性。

AOZ7270DI内置的主动防直通功能进一步提高了应用的安全性。采用DFN5x7封装，适用于多种AC/DC电源应用，如充电器、笔记本电脑适配器、PC电源、服务器电源和电信电源等，能够助力设计师打造符合EPA Energy Star 7.0、FEMP和EuP等能效标准的产品。

1、打造新一代高效AC/DC电源解决方案，AOS AlphaZBL技术深度解析

MPS芯源

芯源MP6924

MPSMP6924。这是一颗双路同步整流控制器，用于控制主动整流。

1、内置6颗第三代半导体芯片，华硕游戏本300W充电器拆解

NXP恩智浦

TEA2206T

恩智浦TEA2206T是一款有源桥式整流器控制器，适用于采用MOSFET代替传统二极管桥中的两个低边二极管。通过把TEA2206T与低导阻高压外置MOSFET配合使用，典型的整流二极管正向传导损耗降低了50%，可显著提高功率转换器的效率，在90V电压条件下，效率可以提高约0.7%左右。

TEA2206T采用SO8封装，简化了电源生产。芯片直接驱动两颗整流MOS管，显著减少外围器件数量。同时芯片内部还集成了X电容放电功能，能够实现更精简的外围和更低的功耗。

这颗芯片适用于开关电源应用，可用于电视机，台式机，笔记本电脑适配器等应用，降低发热并提高效率。

1、恩智浦联合英诺赛科推出150W大功率氮化镓电源方案，打造大功率性能标杆

TEA2209T

NXP恩智浦推出了一款全桥四管的主动整流控制器TEA2209T，内置高压驱动器，无需外置驱动器，能够根据交流电压输入极性，自动切换对角的MOS管导通或关闭，实现超低损耗的主动整流。目前该器件已经被聚能创芯240W氮化镓快充电源采用。

TEA2209T采用SO16封装，简化了电源生产。芯片内部集成了高压驱动器，可直接驱动四颗整流MOS管，显著减少外围器件数量。同时芯片内部还集成了X电容放电功能，能够实现更精简的外围和更低的功耗。

TEA2209T支持禁用功能，关闭驱动器输出并使用MOS管内置的体二极管整流，能够有效降低电源的待机功耗。禁用功能支持与PFC控制器或MCU联动，以实现最大限度的降低待机功耗。这颗芯片适用于开关电源应用，可用于电视机，台式机，笔记本电脑适配器等应用，降低发热并提高效率。

1、恩智浦推出TEA2209T主动整流控制器，提高电源功率密度

On-Bright昂宝

昂宝OB6810

昂宝电子推出了有源桥式整流控制芯片OB6810。将整流控制芯片OB6810与低Rdson高压MOSFET搭配使用，用以取代传统整流桥中的低边二级管，可将整流桥导通损耗降低50%，显著提高系统效率，在90VAC电压下，电源效率提升近1%，整流电路温升明显降低。

OB6810采用SOP8封装，外部零件简单，仅需一颗VCC电容，同时芯片提供两路驱动，可直接驱动MOSFET和D-mode GanFET。芯片具备自供电能力，集成输入AC拔电检测和X电容放电功能，可实现极低的待机功耗(2mW)。

另外，OB6810提供完善的MOSFET保护功能，具备启动阶段GATE主动下拉，MOSFET漏源级过压防护功能，防止MOSFET误导通，有效提升系统可靠性。

OB6810面向将升压型功率因数控制器作为第一级的电源，可用于所有高效率AC-DC电源，尤其是高功率密度电源，比如PD电源适配器、台式电脑和一体机电源、电视电源、服务器电源等。

PANJIT 强茂

CMDRBR

CMDRBR 是首款专为构建几乎无损耗理想二极管桥而设计的控制器芯片，采用紧凑的 SOT-23 6L-1 封装，无需外置偏置电源即可自供电，能够驱动外部超结 MOSFET（SJMOS）在全桥或半桥整流拓扑中替代传统的四只二极管，实现主动整流。通过对 MOSFET 的精确导通和关断控制，CMDRBR 可显著降低二极管正向压降，将 AC/DC 转换效率大幅提升，同时减少热量产生，简化系统散热设计，非常适合高效开关电源、适配器及充电器等场景。

该芯片支持高达 800V 的 DRAIN-to-GND 耐压，在 230Vac 下形成完整的“Dr. Bridge”后，无负载功耗低于 20mW，典型工作电流仅约 20μA，且无需高侧驱动器；其开关延迟仅 10–50μs（导通）和 3–10μs（关断），可快速响应输入极性变化，最大化整流效率。此外，CMDRBR 的自带驱动和低功耗特性，使得整体方案元件数量减少、设计更简易，极大地缩短了产品开发周期。

充电头网总结

半导体行业的竞争愈发激烈。多家半导体巨头的加入进一步推动了Active bridge市场的发展，为快充技术的提升带来了新的挑战。随着不断竞逐创新，我们可以期待看到更高效、更稳定的充电方案逐渐普及，为用户带来更加便捷、快速的充电体验。同时，这也将促进行业技术的进步与发展，为未来电子产品的发展打下坚实的基础。在这个充满活力的市场中，每一次的进步都值得我们期待和关注。