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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，无锡华润上华科技有限公司申请一项名为“半导体器件的制作方法”的专利，公开号CN120072625A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底结构以及设于所述衬底结构一侧的顶金属层；对所述半导体结构进行第一次热处理；采用清洗液对所述顶金属层进行清洗，以于所述顶金属层的表面形成液体保护薄膜；于所述顶金属层远离所述衬底结构的一侧形成保护层。如此，该液体保护薄膜可以阻止保护层的材料对顶金属层造成侵蚀，从而降低顶金属层的表面的缺陷发生率，提升器件的良率。
本文源自：金融界
作者：情报员
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