北京
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN120035131A，申请日期为2024年03月。
专利摘要显示，半导体元件包含着陆垫、第一氮化物层、第一氧化物层、第二氮化物层、第三氮化物层、电极层以及填充材料。着陆垫、第一氮化物层、第一氧化物层、第二氮化物层以及第三氮化物层依序地形成。沟槽贯穿第三氮化物层、第二氧化物层、第二氮化物层、第一氧化物层以及第一氮化物层。电极层设置于沟槽的内侧壁、第三氮化物层的顶面以及着陆垫的顶面以及侧壁上。填充材料填充于沟槽中并通过电极层接触着陆垫。
本文源自：金融界
作者：情报员
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