北京
金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司申请一项名为“一种刻蚀槽深度均匀性控制方法”的专利，公开号CN119987130A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明提供了一种刻蚀槽深度均匀性控制方法，包括：在波导衬底上形成刻蚀停止层，并对刻蚀停止层进行图形化处理，获得刻蚀停止层结构；在刻蚀停止层结构上形成波导层，并对波导层进行图形化处理，获得波导结构；在波导结构上制备形成第一氧化硅层，以使第一氧化硅层将波导结构、刻蚀停止层结构和波导衬底完全覆盖；在第一氧化硅层上与刻蚀停止层结构对应的位置处制备金属沉积槽，且使金属沉积槽的槽底向内部延伸至刻蚀停止层结构，去除刻蚀停止层结构，获得用于形成金属电极的金属沉积槽。本发明可以有效控制刻蚀槽深度均匀性，为后续薄膜沉积、刻蚀等工艺提供良好的平坦表面；同时通过控制停止层厚度、间距等参数可以精确调控刻蚀深度。
天眼查资料显示，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司，成立于2021年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司专利信息31条，此外企业还拥有行政许可2个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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