电子的“自旋舞蹈”：微观世界的优雅演出 | 科到了

作者：张然 | 中国科学院大学 培养单位：中国科学院物理研究所 审核：万蔡华 副研究员 | 中国科学院物理研究所

你有没有想过，在我们看不见的微观世界里，电子们正在跳着一支神奇的舞蹈？这不是科幻小说的场景，而是实实在在的量子物理现象——电子自旋。今天，让我们一同走进这个奇妙的领域，感受电子们如何用它们独特的”舞姿”改写我们的未来。

最小的陀螺？认识电子自旋

说起电子，大多数人的第一印象可能是它们带着负电荷，在导线中飞速“奔跑”，形成电流。但你知道吗？电子不仅会“跑步”，还会“跳舞”！这种神秘的“舞蹈”被称为“自旋”。

自旋是什么呢？试想一个微型陀螺，永不停歇地旋转。奇妙的是，这个陀螺不像我们熟悉的玩具那样可以自由改变旋转方向，而只能以两种固定方式“旋转”——（逆时针旋转，定义自旋方向）向上或（顺时针旋转，定义自旋方向）向下。科学家们把这两种状态分别称为“自旋向上”和“自旋向下”，就像电子的“舞蹈姿势”。

图1：陀螺与电子自旋示意图（左图来源：LingoAce；右图来源：Wikimedia Commons）

但要注意，这个陀螺只是一个形象化的比喻。实际上，自旋是电子在量子力学中的内在属性，它并不是真正的物理旋转[1]。就像电子的负电荷是与生俱来的特性一样，自旋也是一种存在于微观世界中的神秘“印记”。这种“舞蹈”一经发现，立刻震撼了科学界，也揭开了量子世界的另一面。从量子力学的角度看，自旋是一种内禀的角动量，是粒子固有的量子性质之一。与轨道角动量不同，自旋并非源自电子的实际自转，而是由狄拉克方程（Dirac equation）中的对称性引入的一种数学结构[2,3]。电子自旋态可用二维希尔伯特空间中的态矢量表示，一般形式为：

其中|↑〉，和|↓〉分别表示沿 z 轴自旋向上和自旋向下的本征态，

这些矩阵满足一组重要的反对易关系：[

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j

ijk

k

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过去的几十年里，我们的电子设备主要依靠电子的“跑步”工作。电子在导线上来回穿梭，形成电流，点亮了灯泡，驱动了计算机，推动了现代科技的发展。从智能手机到高性能计算机，无一不受益于这种“跑步式”的电子行为。

图2：对比传统电路和自旋器件，形象化表现“跑步者”和“舞者”的差别（本图片为作者自制）

但就像马拉松运动员跑久了会疲惫不堪，电子不停奔跑也有它的局限性。随着设备的体积越来越小，电子的“跑步”造成的问题也日益显现：

•高能耗：电子的移动会消耗大量能量，发热问题难以避免。

•速度瓶颈：跑步的电子总有速度极限，无法满足未来技术对高速的需求。

•微型化挑战：在越来越小的设备中控制电子运动变得愈加困难。

这时，科学家们提出了一个大胆的构想：如果电子不再依靠“跑动”工作，而是直接用它们的“舞姿”传递信息，会怎么样？换句话说，电子不再是辛苦的“马拉松选手”，而是优雅的“芭蕾舞者”，这种技术通过控制电子的自旋态（自旋向上或自旋向下）来传递信息。这一思路的提出，让电子自旋技术从实验室走向了应用领域，引发了一场全新的技术革命。

自旋的魔法：已经融入你的生活

不要以为电子的“舞蹈”离我们的生活还很遥远，其实它们早已悄悄走进了我们的日常——你甚至每天都在使用它们的“舞姿”所创造的成果。比如你电脑里的硬盘，它可不仅仅是一个存储器那么简单。

也许你小时候听过硬盘“咔咔”作响的声音，那其实是磁头在忙碌地读取和写入数据。而现代硬盘中的读取头早已不同凡响，它利用了一种被称为“巨磁阻”（Giant Magnetoresistance, GMR）效应的量子现象——正是电子自旋状态对电阻的影响，让磁头能够高效地识别出“0”与“1”。GMR效应于1988年同期被两位科学家发现：法国的阿尔贝·费尔（Albert Fert）[5]和德国的彼得·格林贝格（Peter Grünberg）[6]。他们分别独立研究了多层磁/非磁金属薄膜结构中电子传输的行为，首次观察到电阻随磁化方向变化而显著改变的现象，这一突破为磁记录技术开辟了全新路径。

GMR器件的核心结构包括两个铁磁层（Ferromagnetic Layer）夹着一个非磁性导体层（如铜）。其中一层磁矩方向相对固定（参考层），另一层磁矩方向相对可调（自由层）。当两层磁矩平行时，自旋极化的电子可以顺利通过，自旋散射效应较弱，整体电阻较小；当两层磁矩反平行时，电子在传播过程中容易被反向磁矩散射，导致电阻上升。这种依赖自旋方向的电子散射机制揭示了电阻的量子调控可能性，是自旋电子学的开端。该成果于2007年获得诺贝尔物理学奖[7–9]，评审委员会评价其为“纳米技术时代信息存储革命的奠基石”。这一发现直接推动了硬盘密度及其容量的大幅跃升，使我们今天能够轻松存储海量的照片和视频等数据信息。如果没有电子这支“舞蹈”的参与，云计算和大数据或许仍然只是停留在纸上的概念。

而如今，电子的“舞姿”正在更深入地影响存储技术的未来。磁性随机存储器（Magnetoresistive Random-Access Memory, MRAM） 就是利用电子自旋特性工作的新一代存储器件。与传统闪存相比，MRAM具备诸多优势：（1）断电记忆：即使设备断电，数据也能以磁矩方向（即自旋向上或向下）的方式被存储，不再依赖持续供电；（2）速度更快：其数据读写速度比传统闪存快出几个数量级；（3）低能耗：几乎不产生热量，更加节能环保。除了第一代 MRAM，科学家们还在不断升级这项技术。例如，通过引入自旋转移力矩效应（Spin Transfer Torque, STT）[10,11]和自旋轨道矩效应（Spin-Orbit Torque, SOT）[12–17]，开发出了更加高效稳定的新型自旋存储架构。这些器件不仅速度更快、功耗更低，还有望突破“存储与计算分离”的瓶颈，让未来的芯片既能高效记忆，也能灵活处理。

图3：MRAM的基本单元MTJ；GreenWave GAP9 MRAM芯片（图片来源：XTECH）

STT机制依赖于将自旋极化电流直接注入磁性自由层。其原理是：当自旋极化电子进入自由层时，其自旋方向与局域磁矩不一致，电子通过自旋翻转将角动量转移给磁矩，从而施加扭矩，实现磁化翻转。该机制已广泛应用于第二代 STT-MRAM 中。相比之下，SOT机制则依赖重金属（如 Pt、Ta）中强自旋轨道耦合产生的横向自旋流。通过在重金属/铁磁双层结构中施加电流，可利用自旋霍尔效应（Spin Hall Effect）或 Rashba 效应生成垂直自旋流，作用于磁层磁矩诱导其翻转。由于电流不需要垂直穿过磁性隧道结，SOT器件具备更高的写入速度、更长的寿命与更低的写入电流密度，尤其适合用于神经网络、逻辑加速等场景。

此外，自旋的“魔法”还体现在那些我们日常不太注意却至关重要的地方——比如你手机上的磁传感器。你有没有注意过，当你旋转手机，地图会自动调整方向？这正是得益于自旋磁阻传感器的精准“感知”能力。这类传感器能识别地球磁场的微小变化，是智能手机、无人驾驶汽车、可穿戴设备等的关键组件，被誉为现代生活的“电子指南针”。

更令人期待的是，下一代高灵敏度磁传感器正在悄然诞生[18,19]。它们不仅能感知导航用的地磁，还能监测极其微弱的人体生物磁信号，比如大脑的神经活动或心脏的电磁反应。这意味着，自旋传感器有望成为未来无创神经医学与脑机接口的核心技术，为医疗健康带来颠覆性变革。

图4：韩秀峰研究员团队及其合作者累计发现和实验观测到10种新奇自旋量子效应、并研制出10余种新型自旋电子原型器件。（图片来源：中国科学院物理研究所M02课题组）

磁子：微观世界的”墨西哥人浪”

如果说单个电子的自旋是一支独舞，那么许多电子的自旋相互作用时，就是一场宏大的“群舞”。这种现象被称为自旋波，它就像微观世界中的“墨西哥人浪”。

图5：自旋波传播的动态艺术效果图，展示波浪式的自旋变化（上图来源：SketchFab；下图来源：Marconi Van）

一个电子的自旋变化可以通过相邻电子传播出去，形成波动。自旋波像光波和声波一样也具有波粒二象性，其传播遵循特定的色散关系，即频率

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其中，

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自旋波的最小能量基元被称为磁激子或磁振子，简称为磁子（magnon）。磁子属于一种玻色子准粒子。这意味着它们服从玻色-爱因斯坦统计，不受泡利不相容原理限制，可以在低温下聚集到同一状态中，形成所谓的磁子凝聚（magnon condensation）。与电子不同，磁子不携带电荷，因此在传播过程中不会引发电阻加热效应，极大地降低了信息传输能耗。其统计特性使得多个磁子可以同时传播不同频率和相位的信息，实现天然的波分复用与并行处理功能。目前磁子学（Magnonics）成为继自旋电子学之后的又一个新兴交叉学科[22,23]。磁子的魅力在于：

•传播速度快：在传统电子设备中，信息通过电子在电路中的移动传递，就像城市里的交通系统，堵车时寸步难行。而磁子则像是一阵轻盈的海浪，在磁性材料中层层传递，不需要电子真正移动，极大地提升了信号传播的效率。理论研究表明，磁子的群速度可以达到每秒数千米，远超许多半导体器件的响应速度，为高速信号处理提供了新的可能。

•能耗极低：因为磁子传递的是电子的“舞姿”而非“奔跑”，它不依赖电子的物理运动，从而大大减少了电阻带来的能量损耗。在未来构建节能型电子系统中，这种特性尤为重要。在我们奔赴 “碳中和”、“绿色计算”的时代，磁子技术被认为是突破现有能源效率极限的有力候选。

•发热少：传统电子器件因为电流流动而必然伴随着焦耳热的产生，散热问题成为芯片缩小和集成度提升的最大瓶颈之一。而磁子不依赖电子流动，因此几乎不会产生热量，同时新近发明的具有垂直和横向尺度均为纳米量级的新型磁子阀和磁子结及磁子晶体管可以构成磁子存储、逻辑运算及传感器的基本单元，这意味着未来的计算设备可以做得尺度更小、密度更高、频率更高、速度更快、热能耗最低、综合性能也更加可靠，甚至可以减少散热装置的体积，让轻薄型移动设备变得更加适合室温与“清凉”。

例如：科学家们正在尝试利用磁子开发一类全新的信息处理架构—磁子计算（Magnonic Computing）。这种计算方式不再依赖晶体管切换的“0”与“1”，而是通过不同频率、相位和振幅的磁子进行信息编码与操作，就像用不同节奏的鼓点来演奏一段程序。初步实验已经展示了自旋波逻辑门、干涉器和波导的原型设备，预示着磁子计算可能在人工智能、边缘计算、乃至未来量子计算领域大放异彩[22]。

也许在不远的未来，我们的电脑将不再依靠电子“奔跑”来执行运算，而是像一片海洋，悄无声息地掀起一阵阵“微观浪潮”，用“波浪”的语言讲述信息世界的故事。

未来畅想：自旋电子学的无限可能

自旋技术的应用远不止于此，它还为未来科技打开了一扇新的大门，像是一枚微观钥匙，悄然解锁着明日世界的种种可能：

超低功耗设备：设想一下，未来的手机也许不再需要频繁充电，仅凭一次充电就能使用好几天，甚至几周。这并非天方夜谭，而是自旋电子学为我们描绘的真实蓝图。通过利用电子的自旋状态传递和处理信息，器件无需频繁地让电子奔跑，从而极大地降低能耗。这意味着未来的智能设备将更环保、更持久，也更适合部署在遥远、偏僻、不便维护的场所，比如深海传感器、太空探测器，甚至是皮肤贴合式柔性生物电子设备。

医疗革新：我们的身体其实是一个“磁场交响乐团”——心跳、大脑活动、神经信号都会产生微弱而复杂的磁场。自旋技术为医学带来了前所未有的探测手段。基于自旋的磁传感器不仅灵敏度极高，甚至可以在无需接触的情况下“听到”这些微小的磁场波动。例如，用于脑磁图（MEG）的超导量子干涉器件（SQUID）已经可以绘制大脑活动的空间图谱，而未来更便携的自旋传感器将可能用于日常健康监测、癫痫预警，甚至实现对神经退行性疾病的早期筛查。

量子传感：借助自旋的量子特性——如叠加态与纠缠态——科学家正开发一种超越经典极限的传感技术。量子自旋传感器不仅可以测量极其微弱的磁场、电场或温度变化，其精度甚至接近理论极限。未来，它们可能成为地质勘探的“透视眼”，探测地壳深处的矿藏与构造；也可能搭载在航天飞行器上，为深空探测与自主导航提供精密支持。量子时代的“千里眼”和“顺风耳”，或许正悄然从实验室中诞生。

新型计算架构：当传统计算遇到瓶颈，科学家们开始从大脑中寻找灵感。我们的神经网络不是通过“开关”工作，而是通过突触强度和信号模式来处理信息。而自旋器件，恰恰可以模拟这种行为：自旋态的非易失性、可调性与相互作用性为构建类脑计算提供了理想材料基础。结合“自旋神经网络”“自旋突触”“自旋整流器”等新概念，研究者希望打造出一种全新的计算架构——不仅更接近人脑的思维方式，还能实现更快、更节能的人工智能。也许未来的机器人，不再只是执行指令的“机械臂”，而是真正具有学习与理解能力的“思考者”。

图6：自旋与外场的相互作用（图片来源：九州大学 湯浅研究室）

挑战与希望：科学探索的新边界

图7：自旋电子学器件为突破微电子学极限带来可能性（图片来源：Yakout, S.M. Spintronics: Future Technology for New Data Storage and Communication Devices. J Supercond Nov Magn 33, 2557–2580 （2020）. ）

尽管自旋电子学拥有无限潜力，但它的发展道路并非一帆风顺。目前，科学家们正在攻克以下难题：

•室温稳定性：如何让电子自旋在室温环境中保持稳定是关键问题。

•高效操控性：如何更精准地控制自旋的”舞步”，以实现复杂的信息处理。

•自旋协调性：让更多电子同步”跳舞”需要全新的技术突破。

每一项挑战的解决，都会让自旋电子学更进一步，也会带来颠覆性的技术革新。

写在最后：微观舞者，撬动未来

每当我在实验室里观察这些微观世界的小舞者，总是由衷感叹：大自然的奇妙远超我们的想象！谁能想到，微小的电子竟然能用“舞蹈”带来如此巨大的能量和改变？

自旋电子学正以独特的方式重塑信息世界的基本逻辑，从数据非易失性存储到自旋量子信息传感，从类脑计算到绿色低碳芯片，它正在打开一扇通向未来的科技大门。未来，自旋电子学或将成为推动下一次信息革命乃至工业变革的关键力量。

在这条通往未来的探索之路上，中国科学院物理研究所磁学室M02课题组始终扮演着先行者的角色。课题组自2002年成立以来，围绕“自旋电子学材料、物理和器件”的核心研究方向，长期致力于自旋相关量子效应的发现与器件原理的探索，已累计发表SCI学术论文400余篇，获中国发明专利和美国及日本等国际专利授权100余项，发现多种新型自旋量子效应，研制出10余种先进的自旋电子原型器件，涵盖新型磁子阀、磁子结、磁子晶体管、第二代和第三代磁随机存储器MRAM、非易失多功能可编程自旋逻辑、自旋共振隧穿二极管、自旋发光二极管、自旋纳米振荡器/微波探测器、概率可调自旋随机数发生器和受限玻尔兹曼机、高灵敏度低噪声TMR磁敏传感器等多个领域，取得了一系列具有国际先进水平的创新性重要成果。课题组由韩秀峰研究员担任学术带头人。韩秀峰研究员毕业于吉林大学，曾在日本东北大学、美国新奥尔良大学、爱尔兰圣三一学院等国际知名研究机构从事自旋电子学研究，现任国际期刊 JMMM 副主编、SPIN和Sensor等杂志编委，并主编和参与出版了《自旋电子学导论》等多部专著[24]。作为国家杰出青年基金和国家级“百千万人才工程”入选者，他带领团队不断推进自旋电子学的基础理论、材料开发与器件创新工作，于2006年率先研制出新型纳米环STT-MRAM、及后续纳米环自旋纳米振荡器/微波探测器、纳米环自旋随机数发生器、自旋共振隧穿二极管等示范器件，并因在自旋电子学、磁子学和磁学及其应用领域的杰出贡献荣获2013年北京市科学技术一等奖和2018年亚洲磁学联盟奖（AUMS Award）、2024年入选欧洲科学院外籍院士。

站在新一轮科技革命的起点，我们比任何时候都更接近这个量子舞蹈主导的信息时代。让我们继续追随这些微观舞者的脚步，在磁场与自旋共鸣的节奏中，探索更高效、更智能、更绿色的未来。相信不久的将来，自旋电子学和磁子学必将在信息科学、人工智能、物联网、深空探测和医疗诊断等诸多前沿领域大放异彩，成为撬动未来信息科学技术的关键支点！

参考文献：

[1] GRIFFITHS D J, SCHROETER D F. Introduction to Quantum Mechanics[M/OL]. 3 版. Cambridge University Press, 2018[2025-04-10]. https://www.cambridge.org/highereducation/product/9781316995433/book. DOI:10.1017/9781316995433.

[2] A theory of electrons and protons[J/OL]. Proceedings of the Royal Society of London. Series A, Containing Papers of a Mathematical and Physical Character, 1930, 126（801）: 360-365. DOI:10.1098/rspa.1930.0013.

[3] SACCOMANDI G, VITOLO R. A Translation of the T. Levi-Civita paper: Interpretazione Gruppale degli Integrali di un Sistema Canonico Rend. Acc. Lincei, s. 3^a, vol. VII, 2^o sem. 1899, pp. 235--238[J/OL]. Regular and Chaotic Dynamics, 2012, 17（1）: 105-112. DOI:10.1134/S1560354712010091.

[4] PAULI W. Zur Quantenmechanik des magnetischen Elektrons[J/OL]. Zeitschrift für Physik, 1927, 43（9-10）: 601-623. DOI:10.1007/BF01397326.

[5] BAIBICH M N, BROTO J M, FERT A, 等. Giant Magnetoresistance of （001）Fe/（001）Cr Magnetic Superlattices[J/OL]. Physical Review Letters, 1988, 61（21）: 2472-2475. DOI:10.1103/PhysRevLett.61.2472.

[6] GRÜNBERG P, SCHREIBER R, PANG Y, 等. Layered Magnetic Structures: Evidence for Antiferromagnetic Coupling of Fe Layers across Cr Interlayers[J/OL]. Physical Review Letters, 1986, 57（19）: 2442-2445. DOI:10.1103/PhysRevLett.57.2442.

[7] THOMPSON S M. The discovery, development and future of GMR: The Nobel Prize 2007[J/OL]. Journal of Physics D: Applied Physics, 2008, 41（9）: 093001. DOI:10.1088/0022-3727/41/9/093001.

[8] FERT A. Nobel Lecture: Origin, development, and future of spintronics[J/OL]. Reviews of Modern Physics, 2008, 80（4）: 1517-1530. DOI:10.1103/RevModPhys.80.1517.

[9] GRÜNBERG P A. Nobel Lecture: From spin waves to giant magnetoresistance and beyond[J/OL]. Reviews of Modern Physics, 2008, 80（4）: 1531-1540. DOI:10.1103/RevModPhys.80.1531.

[10] MYERS E B, RALPH D C, KATINE J A, 等. Current-Induced Switching of Domains in Magnetic Multilayer Devices[J/OL]. Science, 1999, 285（5429）: 867-870. DOI:10.1126/science.285.5429.867.

[11] RALPH D C, STILES M D. Spin transfer torques[J/OL]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2007, 320（7）: 1190-1216. DOI:10.1016/j.jmmm.2007.12.019.

[12] HAN X, WANG X, WAN C, 等. Spin-orbit torques: Materials, physics, and devices[J/OL]. Applied Physics Letters, 2021, 118（12）: 120502. DOI:10.1063/5.0039147.

[13] HAN X, WAN C, YU G. Materials, physics, and devices of spin–orbit torque effect[J/OL]. Applied Physics Letters, 2021, 118（18）: 180401. DOI:10.1063/5.0054652.

[14] LIU L, PAI C F, LI Y, 等. Spin-Torque Switching with the Giant Spin Hall Effect of Tantalum[J/OL]. Science, 2012, 336（6081）: 555-558. DOI:10.1126/science.1218197.

[15] MIRON I M, GARELLO K, GAUDIN G, 等. Perpendicular switching of a single ferromagnetic layer induced by in-plane current injection[J/OL]. Nature, 2011, 476（7359）: 189-193. DOI:10.1038/nature10309.

[16] 陈君养, 刘东屏, 温振超, 等. 一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器: CN101770804A[P/OL]. 2012-12-12. https://patents.google.com/patent/CN101770804A/zh.

[17] ZHAO M K, ZHANG R, WAN C H, 等. Type-Y magnetic tunnel junctions with CoFeB doped tungsten as spin current source[J/OL]. Applied Physics Letters, 2022, 120（18）: 182405. DOI:10.1063/5.0086860.

[18] CHEN P, FENG J, ZHANG Y, 等. Fast response of TMR magnetic sensor in high-frequency alternating magnetic fields under varying temperature conditions[J/OL]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2024, 604: 172284. DOI:10.1016/j.jmmm.2024.172284.

[19] ZHANG Y, WANG Y Z, HAN X F, 等. Electron irradiation total ionizing dose （TID） effect of tunneling magnetoresistance sensors[J/OL]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2022, 563: 169954. DOI:10.1016/j.jmmm.2022.169954.

[20] FEYNMAN R P, LEIGHTON R B, SANDS M L. The Feynman lectures on physics[M]. New millennium ed. New York: Basic Books, 2011.

[21] ANDERSON P W. Concepts in solids: lectures on the theory of solids[M]. Repr. Singapore: World Scientific, 2003.

[22] FLEBUS B, GRUNDLER D, RANA B, 等. The 2024 magnonics roadmap[J/OL]. Journal of Physics: Condensed Matter, 2024, 36（36）: 363501. DOI:10.1088/1361-648X/ad399c.

[23] HAN X, WU H, ZHANG T. Magnonics: Materials, physics, and devices[J/OL]. Applied Physics Letters, 2024, 125（2）: 020501. DOI:10.1063/5.0216094.

[24] 韩秀峰等编著. 自旋电子学导论[M]. Di yi ban. Beijing: 科学出版社, 2014.

编辑：Decoherence

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