北京
金融界2025年5月13日消息，国家知识产权局信息显示，江苏镓宏半导体有限公司申请一项名为“一种新型GaN高阻层设计的GaN基HEMT外延结构”的专利，公开号CN119967850A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明涉及一种新型GaN高阻层设计的GaN基HEMT外延结构，属于半导体器件技术领域，包括衬底，缓冲层，位于衬底之上，高阻层，位于缓冲层之上，所述高阻层包括第一功能子层、第二功能子层和第三功能子层，沟道层位于高阻层之上，势垒层位于高阻层之上，帽层位于势垒层之上。采用以上结构后，本发明具有如下优点：本发明的高阻层设计有效提高了GaN基HEMT外延结构的耐压性能和纵向电流阻断能力，使其适用于更高电压的应用场景，同时相对的降低了器件的导通电阻，提高了器件的电流横向传输性能。
天眼查资料显示，江苏镓宏半导体有限公司，成立于2021年，位于徐州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本19221.9万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏镓宏半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息51条，此外企业还拥有行政许可14个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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