北京
金融界 2025 年 5 月 12 日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种 LDMOS 器件及其制造方法”的专利，公开号 CN119967838A，申请日期为 2025 年 1 月。
专利摘要显示，本发明提供一种 LDMOS 器件及其制造方法，该方法在形成侧墙材料层之后增加一道光罩，基于该光罩图形化侧墙材料层以得到第一、第二栅极侧墙，并保留一部分侧墙材料层作为第一、第二场板，之后在 SAB 阶段形成第一、第二硅化物阻挡层，其中，硅化物阻挡层与场板共同组成复合场板，由于复合场板中所需的硅化物阻挡层的厚度相对较小，使得 SAB 工艺窗口得以优化，且由于本发明采用侧墙材料层作为第一场板与第二场板，至少可以减少一次对氧化物的刻蚀清洗，有助于保证 STI 步高高度，防止凹陷缺陷的产生或防止凹陷程度的增大，从而可以兼容核心器件区的 CMOS 器件工艺，降低对核心器件区的 CMOS 器件的栅氧生长的控制难度，有利于提高良率。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目693次，专利信息89条，此外企业还拥有行政许可11个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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