北京
金融界2025年5月6日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“存储器及其形成方法”的专利，公开号CN119922914A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，一种存储器及其形成方法，存储器包括基底；浮栅结构，位于基底上；选择栅结构，间隔设置于浮栅结构侧部的基底上，选择栅结构包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的多个第一栅极；第一漏区，位于第一栅极一侧的基底中；第一源区，位于第一栅极另一侧的基底中，且多个第一源区电连接；第二漏区，位于浮栅结构一侧的基底中，且与第一源区电连接；第二源区，位于浮栅结构另一侧的基底中。第一栅极及其两侧的第一漏区和第一源区构成选择晶体管，由于多个第一源区电连接，使得多个选择晶体管并联，使写入时输入至第二漏区的电流值为各个选择晶体管的输出电流值之和，使得写入时有较多的电荷进入浮栅结构中，从而便于区分浮栅结构在写入时的状态。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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